بررسی عملکرد خازن ورکتور و سلف فعال در مدار تشدید VCO های مجتمع با تکنولوژی 0.18µmCMOS

الموضوعات :

نجمه چراغی شیرازی ¹ (گروه برق، واحد بوشهر، دانشگاه آزاد اسلامی، بوشهر، ایران)
ابراهیم عبیری جهرمی ² (دانشگاه صنعتی شیراز)
روزبه حمزه ئیان ³ (گروه برق، واحد بوشهر، دانشگاه آزاد اسلامی، بوشهر، ایران)

تاريخ الإرسال : 09 الجمعة , شوال, 1442 تاريخ التأكيد : 09 الجمعة , شوال, 1442 تاريخ الإصدار : 04 الجمعة , ربيع الثاني, 1439

الکلمات المفتاحية: Active inductor, ورکتور, سلف فعال, محدوده تنظیم فرکانس, وارونگی, Vector, Frequency regulation range, Inversion, نوسانگر کنترل شده با ولتاژ, voltage-controlled oscillator,

ملخص المقالة :

با استفاده از تکنولوژی 0.18µm ، ترانزیستورهای CMOS یک نمونه VCO طراحی شده است. در ساختار VCO پیشنهادی، از یک سلف فعال قابل تنظیم و یک ورکتور برای تانک LC استفاده شده است. تنظیم فرکانس گسترده در این مدار توسط سلف فعال قابل تنظیم و تنظیمات ریز با واراکتور کنترل می گردد. VCO با ورکتور MOS در حالت انبارش دارای کمترین مصرف توان و پایین ترین نویز فاز در فرکانس های آفست بزرگ می باشد. مزایای اعمال شده توسط ورکتورهای MOS زمانی که تکنولوژی های CMOS پیشرفته تری انتخاب شوند بخوبی افزایش می یابد. به دلیل عدم وجود عناصر غیر فعال، VCO کاملاً مجتمع سطح تراشه ای کم تری را در مدار اشغال می کند.