فهرست مقالات زهرا کرمی

• دسترسی آزاد مقاله
  • صفحه چکیده
  • متن کامل
  
  1 - خواص ساختاری و الکترونی تک لایه SiC2 در حضور گاز استالدهید: امکان سنجی کاربرد به عنوان حسگر گاز
  خلیل صیدالی جوانمردی زهرا کرمی هرستانی
  20.1001.1.29808928.1401.1.4.3.9
  در مقاله پیش رو، به بررسی تاثیر جذب مولکول استالدهید بر خواص ساختاری و الکترونی تک لایه SiC2 با استفاده از نظریه تابعی چگالی پرداخته شده است. به این منظور، پیکربندی های مختلف جذب مولکول بر روی تک لایه مورد بررسی قرار گرفته و پایدارترین ساختار براساس انرژی جذب گزارش شده چکیده کامل

  در مقاله پیش رو، به بررسی تاثیر جذب مولکول استالدهید بر خواص ساختاری و الکترونی تک لایه SiC2 با استفاده از نظریه تابعی چگالی پرداخته شده است. به این منظور، پیکربندی های مختلف جذب مولکول بر روی تک لایه مورد بررسی قرار گرفته و پایدارترین ساختار براساس انرژی جذب گزارش شده است. نتایج نشان داد که مولکول استالدهید به صورت فیزیکی با انرژی در حدود ۳۱۰/۰ الکترون ولت بررویSiC2 جذب می شود. مقایسه ساختار نواری و چگالی حالاتSiC2 قبل و بعد از جذب مولکول استالدهید نشان داد که گاف انرژی و فاصله تراز فرمی تا نوار هدایت پس از جذب استالدهید به ترتیب 0/008 و 0/006 الکترون ولت افزایش می یابد که می تواند موجب کاهش هدایت الکتریکی تک لایه گردد. بر اساس محاسبات انجام شده از تک لایهSiC2 می توان به عنوان حسگر گاز استالدهید براساس تغییر هدایت، تغییر گرمای واکنش یا به عنوان سطح جاذب در حسگرهای گاز پیزوالکتریک بهره برد. پرونده مقاله
• دسترسی آزاد مقاله
  • صفحه چکیده
  • متن کامل
  
  2 - مطالعه نظری جذب متان بر روی نانولوله کربنی تک دیواره (0و8) آرایش یافته با دیمر نقره - پالادیوم
  زهرا کرمی هرستانی صابر جمالی حاجیانی
  20.1001.1.29808928.1401.1.2.3.5
  در مقاله حاضر نانولوله کربنی (0و8) آرایش یافته با دیمر نقره-پالادیوم و خواص حسگری آن در مجاورت مولکول متان، با استفاده از نظریه تابعی چگالی مورد بررسی قرار گرفته است. جذب مولکول متان بر روی ساختار از نوع فیزیکی و گرماده با انرژی جذب 340meV- است. مقدار انرژی جذب حاکی از چکیده کامل

  در مقاله حاضر نانولوله کربنی (0و8) آرایش یافته با دیمر نقره-پالادیوم و خواص حسگری آن در مجاورت مولکول متان، با استفاده از نظریه تابعی چگالی مورد بررسی قرار گرفته است. جذب مولکول متان بر روی ساختار از نوع فیزیکی و گرماده با انرژی جذب 340meV- است. مقدار انرژی جذب حاکی از افزایش قابل توجه جذب مولکول متان بر روی نانولوله آرایش یافته در مقایسه با نانولوله خالص(80meV-) می‌باشد. ساختار پیشنهادی در حالت بدون گاز یک نیمه هادی مغناطیسی دوقطبی با گاف وارونگی اسپین بسیار کوچک برابر با 150meV- است، از سوی دیگر انرژی جذب متان بر روی ساختار مقدار قابل توجه در حدود دو برابر گاف انرژی می‌باشد. همین امر امکان تزریق حامل به نانولوله در اثر گرمای واکنش و به دنبال آن تغییر هدایت را فراهم می‌آورد. بنابراین ساختار پیشنهادی، پتانسیل به‌کارگیری به عنوان حسگر بر مبنای تغییر دمای واکنش و تغییر رسانایی را دارا می‌باشد. پرونده مقاله