فهرست مقالات Tunnel Transistor

• دسترسی آزاد مقاله
  • صفحه چکیده
  • متن کامل
  
  1 - شبیه‌سازی و بهینه‌سازی ترانزیستور تونلی دو گیتی- دو ماده‌ای
  رضا طالب زاده جواد حسنوند علی میر
  10.30486/teeges.2022.1966315.1032
  در این مقاله ما به طراحی و شبیه سازی یک ترانزیستور تونلی جدید پرداخته ایم. ترانزیستورهای فت‌تونلی بدلیل سازوکار جریان تونل‌زنی نوار به نوار، دارای جریان نشتی کم و شیب زیرآستانه کمتر از mV/dec60 هستند و می‌توانند به عنوان جایگزینی مناسب برای ماسفت به منظور استفاده در مدا چکیده کامل

  در این مقاله ما به طراحی و شبیه سازی یک ترانزیستور تونلی جدید پرداخته ایم. ترانزیستورهای فت‌تونلی بدلیل سازوکار جریان تونل‌زنی نوار به نوار، دارای جریان نشتی کم و شیب زیرآستانه کمتر از mV/dec60 هستند و می‌توانند به عنوان جایگزینی مناسب برای ماسفت به منظور استفاده در مدارات کلیدزنی توان پایین باشد. با این حال؛ عیب این ترانزیستورها جریان حالت روشن کمتر آن ها نسبت به ترانزیستورهای ماسفت است. در این مقاله یک ساختار ترانزیستور تونلی دو گیتی – دو ماده‌ای بهینه شده پیشنهاد شده که با اضافه کردن دو ناحیه با آلایش ذاتی به ساختار فت‌تونلی دو گیتی رایج، سعی در افزایش نرخ تونل‌زنی حامل‌ها در مقایسه با ترانزیستورهای تونلی مرسوم شده است. طراحی و شبیه سازی با استفاده از نرم‌افزار سیلواکو - اتلس بصورت دوبعدی صورت گرفته است. نتایج محاسبه شده بصورت زیر است: جریان حالت روشن برابر A/µm6-10×49/5، جریان حالت خاموش برابرA/µm 18-10×2، شیب زیرآستانه برابر mV/dec02/15 و نسبت Ion/Ioff برابر 1012×74/2. نتایج حاصله نشان دهنده بهبود پارامترهای DC افزاره است. پرونده مقاله