• فهرست مقالات گالیم

      • دسترسی آزاد مقاله

        1 - کاربردها، مزایا و معایب آشکارسازهای گالیم آرسناید
        شهین مرادنسب بدرآبادی داریوش سرداری میترا اطهری
        شهین مرادنسب بدرآبادی 1، داریوش سرداری2، میترا اطهری2آشکارسازهای ذرات یا پرتو ابزاری هستند که با آن‌ها ذرات پرانرژی را آشکار، ردیابی یا شناسایی می‌کنند. یکی از این آشکارسازها گالیم آرسناید (GaAs) می باشد. مشکلات در تولید لایه های ضخیم با دوپینگ (ناخالص سازی یا تغلیظ) به چکیده کامل
        شهین مرادنسب بدرآبادی 1، داریوش سرداری2، میترا اطهری2آشکارسازهای ذرات یا پرتو ابزاری هستند که با آن‌ها ذرات پرانرژی را آشکار، ردیابی یا شناسایی می‌کنند. یکی از این آشکارسازها گالیم آرسناید (GaAs) می باشد. مشکلات در تولید لایه های ضخیم با دوپینگ (ناخالص سازی یا تغلیظ) به اندازه کافی کم نیاز به عمق‌های تهی سازی کافی (بیشتر از 100 میکرومتر) داشت، در حالی که مانع توسعه بیشتر می‌شدند. سپس، علاقه جدیدی به آشکارسازهای برپایه هم مواد حجیم و هم مواد رشد یافته اپیتاکسیالی به وجود آمد. لذا، هدف این مقاله بررسی خصوصیات، کاربردها، مزایا و معایب GaAs بود. عیوب GaAs می توانند تحت جنبه های ژئومتریال (چند بعدی) یا تحت جنبه منشا ان (نقایص ذاتی و بیرونی ) طبقه بندی شود. در استفاده از GaAs به عنوان آشکار ساز پرتو ایکس باید خصوصیات جذب، مقاومت ویژه، تحرک و طول عمر، یکنواختی ماده مورد استفاده در آشکارساز، پایداری عملکرد و قابلیت پردازش را مد نظر قرار داد. انواع آشکارسازهای تصویربرداری GaAs عبارتند از آشکارسازهای مبتنی برGaAs اپی‌تاکسیال، آشکارسازهای مبتنی بر SI-GaAs (جبرانی) و آشکارسازهای مبتنی بر HR-GaAs جبران شده با Cr. یک عملکرد اسپکتروسکوپی خوب، مقادیر CCE بالا و کیفیت تصویر خوب با آشکارسازهای مبتنی بر GaAs می‌تواند به دست آید. نسبت به مواد حجیم، در این آشکارسازها یکنواختی ماده بالاتر است و تغییرات موضعی خواص مواد کمتر می‌باشد. به علاوه، پیشرفت‌های حاصل شده در تکنیک‌های فرآوری flip-chip برای نیمه هادی‌های با Z بالا دلیلی برای بازده‌های پیکسلی بالا و بنابراین کیفیت تصویر خوب هستند. پرونده مقاله
      • دسترسی آزاد مقاله

        2 - طراحی تقویت کننده یک طبقه توان بالا و فرکانس بالا در کلاس F با دو ترانزیستور موازیGaN برای کاربردهای 2.5GHz
        باقر ذبیحی پیمان علیپرست ناصر نصیرزاده
        در این مقاله یک تقویت‌کننده توان فرکانس بالا در کلاس F مبتنی بر تکنولوژی مدار مجتمع مایکروویو یکپارچه(MMIC)طراحی شده است. برای این طرح از پروسه گالیم نیترات با قابلیت تحرک الکترون بالا با فناوری طول گیت 150 نانومتر استفاده شده است. فرکانس مرکزی تقویت‌کننده 2/5 گیگا هرتز چکیده کامل
        در این مقاله یک تقویت‌کننده توان فرکانس بالا در کلاس F مبتنی بر تکنولوژی مدار مجتمع مایکروویو یکپارچه(MMIC)طراحی شده است. برای این طرح از پروسه گالیم نیترات با قابلیت تحرک الکترون بالا با فناوری طول گیت 150 نانومتر استفاده شده است. فرکانس مرکزی تقویت‌کننده 2/5 گیگا هرتز است. بیشترین گین توان تقویت‌کننده مورد نظر تقریبا برابر با dB12/76 است و در یک طبقه طراحی شده است. در فرکانس مورد نظر بیشترین توان خروجی تقویت کننده توان حدود dBm39/196 در توان ورودی dBm30 است. در بیشترین توان خروجی ، PAE حدود 41/25% است که بیشترین مقدار خود را دارد. مساحت نهایی مدار برای جاسازی بر روی تراشه 25/903 میلیمتر در19/346 میلیمتر است. بیشترین مقدارAM/PM و AM/AM به ترتیب برابر dB/deg2/38 و dB/dB1/66 است. برای تقویت‌کننده اعوجاج تداخلی هارمونیک سوم (IMD3) حدود dBc-20 در فرکانس مرکزی است. برای طراحی این تقویت‌کننده از تحلیل Loadpull نرم افزار ADS برای بدست آوردن توان خروجی مناسب استفاده شده است. پرونده مقاله
      • دسترسی آزاد مقاله

        3 - مطالعۀ ابتدا به ساکن ویژگی‌های فونونی وگرمایی ترکیب GaP در دو فاز بلندروی و هگزاگونال
        حمداله صالحی شیوا مخاوات پیمان امیری
        در این کار ویژگی‌های فونونی ؛ گرمایی و فشار گذار ترکیب گالیم‌فسفید دردو فاز پایدار بلندروی و فاز سینابار مورد بررسی قرار می‌گیرد. محاسبات با استفاده از روش شبه پتانسیل در چارچوب نظریۀ تابعی چگالی و با استفاده از بستۀ محاسباتی کوانتوم اسپرسو صورت گرفته است.شبه پتانسیل ها چکیده کامل
        در این کار ویژگی‌های فونونی ؛ گرمایی و فشار گذار ترکیب گالیم‌فسفید دردو فاز پایدار بلندروی و فاز سینابار مورد بررسی قرار می‌گیرد. محاسبات با استفاده از روش شبه پتانسیل در چارچوب نظریۀ تابعی چگالی و با استفاده از بستۀ محاسباتی کوانتوم اسپرسو صورت گرفته است.شبه پتانسیل های مورد استفاده از نوع بارپایسته بوده و برای محاسبۀ پتانسیل تبادلی-همبستگی از تقریب شیب تعمیم یافته استفاده شده است.نمودار انرژی برحسب حجم در فشار گذار نشان می دهد که فاز سینابار یک فاز شبه پایدار است. نمودار پاشندگی فونونی نشان می‌دهد که این ترکیب در فاز بلندروی دارای گافی بین cm-1 242 تا cm-1311 و در فاز سینابار فاقد گاف می‌باشد. از مطالعۀ خواص ترمودینامیکی دو فاز بلندروی و سینابار درمی‌یابیم که در هر دو فاز افت ظرفیت گرمایی در دماهای پایین، به صورت است. در دماهای بالا نیز ظرفیت گرمایی به (قانون دولن –پتی) نزدیک می‌شود. پرونده مقاله
      • دسترسی آزاد مقاله

        4 - کاربرد روش کمومتری OSC-PLS جهت اندازه گیری همزمان مقادیر ناچیز نیکل و گالیم در خاک گیاهان دارویی سرخارگل (Echinacea purpurea) و رازک (Humulus lupulus) با استفاده از اسپکتروفوتومتری UV-Vis
        مازیار احمدی گلسفیدی رحمت اله رجب زاده حمیدرضا جلیلیان
        گیاهان دارویی سرخارگل (Echinacea purpurea) و رازک (Humulus lupulus) از محصولات استراتژیک منطقه استان گلستان بوده و در صنایع دارویی و فراورده‌های غذایی کشور نقش بسزایی دارند. وجود عناصر فلزی سنگین از جمله نیکل و گالیم تا حد کنترل شده در خاک این گیاهان مورد پذیرش است و در چکیده کامل
        گیاهان دارویی سرخارگل (Echinacea purpurea) و رازک (Humulus lupulus) از محصولات استراتژیک منطقه استان گلستان بوده و در صنایع دارویی و فراورده‌های غذایی کشور نقش بسزایی دارند. وجود عناصر فلزی سنگین از جمله نیکل و گالیم تا حد کنترل شده در خاک این گیاهان مورد پذیرش است و در صورت افزایش و تجمع با تغییرات متابولیتی منجر به مسمومیت آنها و عدم بکارگیری مفید در صنایع می‌شود. یکی از روش‌های کمومتریکس با نام اصلاح پاسخ متعامد – حداقل مجموع مربعات (OSC - PLS) که ابزار کاربردی قدرتمند آماری چند متغیره است، برای تعیین همزمان مخلوط گالیم و نیکل بکار گرفته شد. یک اپتود (الکترود نوری) انتخاب کننده یونی انتخابی (ISBO) برای سنجش یونهای +Ga3 و +Ni2 بر اساس پلی ونیل کلراید شامل کریپتوفیکس و بنزو 15- کراون-5 به عنوان یونوفور و 1- (2-پریدیل آزو)-2- نفتول (PAN) به عنوان کرومویونوفور آماده شد. این روش بر اساس تشکیل کمپلکس PAN با گالیم و نیکل استوار است. غشاء ISBO گزینش پذیری زیادی را برای یونهای +Ga3 و +Ni2 نشان داد، اما طیف جذبی این دو به شدت با هم تداخل داشتند. بنابر این تجزیه ترکیبات این دو در یک مخلوط محیطی دشوار است. در این مطالعه مدل کالیبراسیون در طیف جذبی در محدوده 400 تا650 نانومتر برای 25 مخلوط مختلف گالیم و نیکل در نظر گرفته شد و مجموعه ای از محلولهای ترکیبی حاوی غلظت‌های مختلفی از گالیم و نیکل جهت بررسی توانایی پیش بینی مدل OSC - PLS مورد استفاده قرار گرفت. مقدارRMSEP برای گالیم و نیکل به ترتیب 3587/0 و 8496/0 بدست آمد. مقدار این دوعنصر در 2 نمونه حقیقی از خاک گیاهی 08/0 و 1/3 ppm محاسبه شد. پرونده مقاله