فهرست مقالات نوسانگر کنترل شده با ولتاژ

• دسترسی آزاد مقاله
  • صفحه چکیده
  • متن کامل
  
  1 - بررسی عملکرد خازن ورکتور و سلف فعال در مدار تشدید VCO های مجتمع با تکنولوژی 0.18µmCMOS
  نجمه چراغی شیرازی ابراهیم عبیری جهرمی روزبه حمزه ئیان
  با استفاده از تکنولوژی 0.18µm ، ترانزیستورهای CMOS یک نمونه VCO طراحی شده است. در ساختار VCO پیشنهادی، از یک سلف فعال قابل تنظیم و یک ورکتور برای تانک LC استفاده شده است. تنظیم فرکانس گسترده در این مدار توسط سلف فعال قابل تنظیم و تنظیمات ریز با واراکتور کنترل می گ چکیده کامل

  با استفاده از تکنولوژی 0.18µm ، ترانزیستورهای CMOS یک نمونه VCO طراحی شده است. در ساختار VCO پیشنهادی، از یک سلف فعال قابل تنظیم و یک ورکتور برای تانک LC استفاده شده است. تنظیم فرکانس گسترده در این مدار توسط سلف فعال قابل تنظیم و تنظیمات ریز با واراکتور کنترل می گردد. VCO با ورکتور MOS در حالت انبارش دارای کمترین مصرف توان و پایین ترین نویز فاز در فرکانس های آفست بزرگ می باشد. مزایای اعمال شده توسط ورکتورهای MOS زمانی که تکنولوژی های CMOS پیشرفته تری انتخاب شوند بخوبی افزایش می یابد. به دلیل عدم وجود عناصر غیر فعال، VCO کاملاً مجتمع سطح تراشه ای کم تری را در مدار اشغال می کند. پرونده مقاله