فهرست مقالات حس‌گر دما

• دسترسی آزاد مقاله
  • صفحه چکیده
  • متن کامل
  
  1 - طراحی حسگر دمای کم توان مبتنی بر عملکرد زیرآستانه ترانزیستورهای نانولوله کربنی با خطای یک و نیم درجه سانتی‌گراد درمحدوده 30- تا 125 درجه سانتی‌گراد
  سید محمد علی زنجانی معصومه عالی پور مصطفی پرویزی
  در این مقاله، یک ‌حس گر دمای جدید مبتنی بر عملکرد ترانزیستورهای نانو لوله کربنی در ناحیه زیرآستانه طراحی و شبیه سازی شده است که باعث کاهش چشم گیر توان مصرفی می شود. در خروجی از یک تقویت کننده تفاضلی استفاده شده و جهت ثابت ماندن مقادیر بهره و سطح مد مشترک در اثر تغییرات چکیده کامل

  در این مقاله، یک ‌حس گر دمای جدید مبتنی بر عملکرد ترانزیستورهای نانو لوله کربنی در ناحیه زیرآستانه طراحی و شبیه سازی شده است که باعث کاهش چشم گیر توان مصرفی می شود. در خروجی از یک تقویت کننده تفاضلی استفاده شده و جهت ثابت ماندن مقادیر بهره و سطح مد مشترک در اثر تغییرات دما، روشی پیشنهادی می تواند به جبران سازی این تغییرات ناشی از تغییرات دمایی در محدوده 30- الی 125+ درجه سانتی گراد پاسخ دهد. حس گر دمایی به همراه تقویت کننده آن می تواند به صورت یک سیستم بر روی سطح تراشه برای مانیتورینگ و کنترل دما استفاده گردد. همچنین در فناوری ترانزیستور اثر میدان نانو لوله کربنی (CNTFET) با ولتاژ تغذیه 5/0 ولت در ناحیه زیرآستانه توسط نرم افزار HSPICE توسط مدل نانوکربنی (CNT) 32 نانومتر شبیه سازی شده است. نتایج شبیه‌سازی نشان می دهد که در دماهای 30- تا 125 درجه سانتی گراد به صورت خطی و با حساسیت یک میلی ولت بر درجه، دما را اندازه گیری می کند و در دمای اتاق تنها 123 نانو وات توان مصرف می نماید. همچنین خطای اندازه گیری شده در دمای 125 درجه سانتی گراد حدود 5/2 میلی-ولت است که به معنی خطای 25/1 درجه سانتی گراد در این دما است. پرونده مقاله