جذب سطحی اتمهای سلیسم بر روی ساختار شبه گرافنی بور فسفاید
محورهای موضوعی : شیمی کوانتومی و اسپکتروسکوپیحمیدرضا علائی 1 , مهناز جورابلو 2
1 - گروه فیزیک دانشگاه آزاد اسلامی ورامین
2 - گروه فیزیک دانشگاه آزاد اسلامی ورامین
کلید واژه: ساختار نواری, بور فسفاید, جذب سطحی, سیلیسم, شبه گرافنی, نظریه‌ی تابعی چگالی,
چکیده مقاله :
در این پژوهش بر پایه‌ی نظریه‌ی تابعی چگالی، پس از بررسی ساختار سه بعدی بورفسفاید، ساختار شبه گرافنی اش را مطالعه نمودیم سپس با جذب سطحی اتمهای سیلیسم، برخی ویژگیهای الکتریکی و اپتیکی آن را محاسبه نمودیم. این محاسبات برای بورفسفاید سه بعدی، یک گاف نواری غیر مستقیم (بسیار نزدیک به گزارشهای ثبت شده) بدست آوردند اما برای ساختارِ شبه گرافنی اش که یک ساختار دو بعدی لانه زنبوری است یک گاف نواری مستقیم 9024/0 الکترون ولتی را پیش بینی می نماید که در برابر نور مرئی با قطبش عمودی بسیار شفاف و در برابر قطبش موازی، بطور گزینشی توانائی عبور، جذب و بازتاب دارد. این ویژگیها می توانند آنرا یک گزینه ی خوب برای قطعات میکرو و نانوالکترونیکی نماید. بعنوان یک کار نو، با اضافه کردن سیلیسیوم بر روی ساختارِ شبه گرافنی بورفسفاید، تاثیرات برجسته اش بر گاف نواری و چگالی حالات را بررسی نمودیم که صفر شدن گاف نواری (شبه فلز شدن ماده) یکی از پیامدهایش بود. با صفر شدن گاف نواری انتظار می رود این ساختار همچون گرافن ویژگیهای برجسته ای نشان دهد. برای جذب سطحی سیلیسم دراین ساختار چهارجایگاه ویژه وجود دارد اما پایدارترین حالت هنگامی رخ می دهد که سیلیسم بر روی بور قرار گیرد.
In this work, based on the Density Function Theory we studied the Borne Phosphide honey-combe structure and for comparing the dimensionality effects, we performed a brief study about its three-dimension (bulk) too. Theses first-principles calculations obtained an indirect band gap for 3D of Bp where it obtained one direct (about 0.9024 eV) for its honey-combe structure that is transparent for vertical polarization beam with a selection ability in transmitance/ adsorbance and reflectance for horizontal polarization. The obtained band gaps are near to repports. As a new work, by adsorption of Si at four outstanding positions on the honey-combe structure of Bp we studied its electrical and optical propertis where the omitting of band gap and pseudo-metaling of structure was a superior result for Si adsorption. for improvement of calculation results we used the Modified Becke–Johnson potential proposed by Tran and Blaha (TB-MBJ).
_||_