مطالعه روش های ساخت لایه های نازک و کاربردهای آن ها در مسائل محیط زیست
محورهای موضوعی : شیمی و مهندسی شیمی کلیه گرایش ها
1 - گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه آزاد اسلامی واحد اهر، اهر، ایران
کلید واژه: لایه های نازک, روش های ساخت, ویژگی ها و کاربردها, محیط زیست,
چکیده مقاله :
در این مقاله، تکنیک های مختلف ساخت لایه های نازک و همچنین کاربردهای آن ها در مسائل محیط زیست مورد مطالعه قرار گرفته است. ضخامت لایه‌های نازک معمولاً در محدوده بین ۵۰ و ۵۰۰۰ آنگستروم قرار می گیرد. روش های ساخت لایه های نازک، عمدتاً به دو صورت فیزیکی و شیمیایی انجام می گیرد. با کاهش ضخامت یک لایه نازک، رسانایی الکتریکی آن، کاهش و مقاومت الکتریکی آن، افزایش می یابد. همچنین کاهش ضخامت لایه، منجر به کاهش شدت مغناطیسی آن می گردد. از طرف دیگر، به علت افزایش میزان سطح به حجم در لایه‌های نازک، سرعت تغییر دما و واکنش شیمیایی نسبت به حالت توده ای افزایش می یابد. از جمله عوامل مؤثر بر کیفیت یک لایه نازک می توان به ساختار زیرلایه، سرعت لایه نشانی، دمای زیرلایه و نوع خلاء اشاره کرد.
In this article, different techniques of preparing of thin films as well as their applications in environmental issues have been studied. The thickness of thin films is usually in the range between 50 and 5000 angstroms.The thickness of thin films is usually in the range between 50 and 5000 angstroms. The methods of preparing thin films are mainly physical and chemical. By reducing the thickness of a thin film, its electrical conductivity decreases and its electrical resistance increases. Also, decreasing the thickness of the thin film leads to decreasing its magnetic intensity. On the other hand, due to the increase of ratio of surface area to volume in thin films, the rate of temperature change and chemical reaction increases compared to the bulk mode. Among the factors affecting the quality of a thin film, we can mention the structure of the substrate, the speed of layering, the temperature of the substrate and the type of vacuum.
[1] علی رضا رازقی زاده، فیزیک لایه‌های نازک، دانشگاه پیام نور، تهران، ۱۳۸۸.
[2] M. C. Rao and M. S. Shekhawat. A brief survey on basic properties of thin films for device application, International Journal of Modern Physics: Conference Series. 22, World Scientific Publishing Company (2013).
[3] H. Frey, Applications and Developments of Thin Film Technology, Handbook of Thin-Film Technology, Springer, Berlin (2015).
[4] K. Wasa, M. Kitabatake, H. Adachi, Thin Film Materials Technology- Sputtering of Compound Materials, Springer, William Andrew Inc publishing, New York (2004).
[5] M. Ohring, The Materials Science of thin Films, Deposition and structure, Academic press (2002).
[6] K. Seshan, Handbook of Thin Film Deposition Processes and Techniques- Principles, Methods, Equipment and Applications, William Andrew Publishing, New York (2001).
[7] علی معتمد اکتسابی، روش های نوین در تکنولوژی ساخت لایه ها، انتشارات سازمان انرژی اتمی، 1374
[8] کاووس میرعباس زاده، تکنولوژی ساخت لایه های نازک و کاربردهای آن، انتشارات دانشگاه امیر کبیر، 1381
[9] V. P. Elanjeitsenni, K. S. Vadivu, B. M. Prasanth, A review on thin films, conducting polymers as sensor devices, Mater. Res. Express 9 (2022) 022001.
[10] V. Gao, Wang, J. Yuan, H. Li, Preparation and magnetic properties of Ni–P–La coating by electroless plating on silicon substrate, Appl. Surf. Sci. 364 (2016) 740.
[11] A. Piegari and F. Flory. Optical Thin Films and Coatings- From Materials and Applications, Woodhead Publishing (2018).
[12] R. Islam, H. D. Banerjee, D. R. Rao, Structural and optical properties of CdSexTe1-x thin films grown by electron beam evaporation, Thin Solid Films 266 (1995) 215.
[13] W. Gulbinski, Deposition of Thin Films by Sputtering, Chemical Physics of Thin Film Deposition Processes for Micro- and Nano-Technologies. NATO Science Series, 55, Springer, (2002) 309.
[14] T. D. Moustakas, Molecular Beam Epitaxy: Thin Film Growth and Surface Studies, Cambridge University Press (2013) 29.
[15] J. P. Praseuth, Molecular beam epitaxy of AlGaInAs on patterned InP substrates for optoelectronic applications, Microelectronics Journal 26 (1995) 841.
[16] B. J. Wu, G. M. Haugen, J. M. DePuydt, L. H. Kuo, L. Salamanca‐Riba, Molecular beam epitaxy of low defect density (⩽1×104 cm−2) ZnSSe on GaAs, Appl. Phys. Lett. 68 (1996) 2828.
[17] J. Dieleman, E.V.de Riet, J. C. S. Kools, Laser Ablation Deposition: Mechanism and Application, Japanese Journal of Applied Physics 31 (1992) 1964.
[18] A. G. Guidoni, I. Pettiti, A. Morone, V. Marotta, M. Snels, G. P. Parisi, G. Bentivenga, Laser deposition of thin films of high Tc superconductors: In situ analysis of the transient species formed in the plume and surface diagnostics of the deposited material, Appl. Surf. Sci. 69 (1993) 365.
[19] G. A. Petersen, J. R. McNeil, Effects of oxygen partial pressure on lead content of PLZT thin films produced by excimer laser deposition, Thin Solid Films 220 (1992) 87.
[20] D. P. Birinie, A Model for Drying Control Cosolvent Selection for Spin-Coating Uniformity: The Thin Film Limit, Langmuir 29 (2013) 9072.
[21] F. E. Ghodsi, H. Absalan, Comparative study of ZnO thin films prepared by different sol-gel route, Act. Phys. Pol. A 118 (2010) 659.
