بررسی اثر ناخالصی لانتانیم اکسید بر ویژگی حسگری نانو ساختار گل مانند روی اکسید

محورهای موضوعی : شیمی تجزیه

نغمه فعال همدانی ¹ ( استادیار شیمی معدنی، دانشکده ولیعصر (عج)، دانشگاه فنی و حرفه‌ای، تهران، ایران )
علیرضا محجوب ² ( استاد شیمی معدنی، دانشکده علوم پایه، دانشگاه تربیت مدرس، تهران، ایران )
عباسعلی خدادادی ³ ( استاد مهندسی شیمی، پردیس فنی، دانشگاه تهران، تهران، ایران )
اکرم حسینیان ⁴ ( استادیار شیمی معدنی، پردیس فنی، دانشگاه تهران، تهران، ایران )

تاریخ دریافت : 1394/10/13 تاریخ پذیرش : 1394/12/13 تاریخ انتشار : 1395/03/01

کلید واژه: نانو ساختار, روی اکسید, ریخت گل مانند, حسگر گاز, لانتانیم اکسید,

چکیده مقاله :

در این کار پژوهشی، روی اکسید گل مانند با روش تابش دهی امواج ریزموج، با استفاده از پیش ماده روی استات و آب به عنوان حلال تهیه شد. نمونه با استفاده از تصویرهای میکروسکوپ الکترونی و تجزیه عنصری EDX و پراش پرتو ایکس مورد شناسایی قرار گرفت. سپس حسگر به دست آمده با درصدهای متفاوت از دوپه ناخالصی، برای بررسی انتخابی گری نسبت به اتانول با غلظت ppm 500 در معرض گازهای متان، کربن مونو اکسید و اتانول قرار گرفت.نمونه حاوی 5% ناخالصی انتخابی گری بالایی نسبت به اتانول در حضور گازهای متان و کربن مونو اکسید از خود نشان داد. هم چنین، وجود ناخالصی لانتانیم اکسید بر زمان پاسخ و بازیابی تأثیر داشته و می‌تواند برای تهیه حسگرهای گازی با انتخابی گری نسبت به اتانول مورد استفاده قرار گیرد.

منابع و مأخذ:

[1] Zeng, Y.;Zhang, T.;Qiao, L.;Mater. Lett. 63, 843–846, 2009.
[2] Kohl,D.;J.phys. D. 34, 125–149, 2001.
[3] Tschulena, G.R.; Lahrmann, A.; Sensors in Household Applications in Sensors Application, 5. Wiley-VCH, Weinheim, 2003.
[4] Choi, U.S.; Sakai, G.; Shimanoe, K.; Yamazoe, N.; Sens. Actuators B. 98, 166–173, 2004.
[5] Wang, C.; Yin, L.; Zhang, L.; Xiang, D.;Gao, R.;Sensors. 10, 2088–2106, 2010.
[6] Hamedani,N. F.; Farzaneh, F.;J.Polish. Chem. 17, 231–234, 2006.
[7] Wagner, T.; Waitz, T.; Roggenbuck, J.; Froba, M.; Kohl, C. D.; Tiemann, M.; Tiemann, M.;Thin Solid Films. 515, 8360–8363, 2007.
[8] Hongsith, N.; Viriyaworasakul, C.; Mangkorntong, P.; Mangkorntong, N.; Choopun, S.;Ceramics International. 34, 823–826, 2008.
[9] Hamedani, N.F.; Mahjoub, A.R.; Khodadadi, A. A.; Mortazavi, Y.; Sens. Actuators B. 156, 737–742, 2011.
[10] Hamedani, N.F.; Mahjoub, A.R.; Khodadadi, A. A.; Mortazavi, Y.;DOI 10.5162/IMCS2012/P2.7.15
[11] Cao, Y.; Pan, W.; Zong, Y.; Jia, D.; Sens. Actuators B. 138, 480–484, 2009.
[12] Wang, C.M.; Wang, J.F.; Chen, H.C.; Su, W.B.; Zang, G.Z.; Qi, P.; Ming, B.Q.; Solid State Commun.132, 163–167, 2004.
[13] Qi, Q.; Zhang, T.; Zheng, X.; Fan, H.; Liu, L.; Wang, R.; Zeng, Y.; Sens. Actuators B. 134, 36–42, 2008.