نانوکامپوزیت آهن (III) هیدروکسید / گرافن اکسید و بررسی جذب سرب با استفاده از آن

محورهای موضوعی : شیمی تجزیه

شبنم ششمانی ¹ (دانشیار شیمی معدنی، دانشکده علوم پایه، دانشگاه آزاد اسلامی، واحد شهرری، تهران، ایران)
مرضیه عرب فشاپویه ² (کارشناس ارشد شیمی معدنی، دانشکده علوم پایه، دانشگاه آزاد اسلامی، واحد شهرری، تهران، ایران)
راحله امینی ³ (کارشناس ارشد شیمی معدنی، دانشکده علوم پایه، دانشگاه آزاد اسلامی، واحد شهرری، تهران، ایران)

تاریخ دریافت : 1391/09/01 تاریخ پذیرش : 1391/11/01 تاریخ انتشار : 1391/12/01

کلید واژه: کامپوزیت, گرافن اکسید, آهن (III) هیدروکسید, جذب سرب,

چکیده مقاله :

در این پژوهش، پس از تهیه و شناسایی صفحه‌های گرافن اکسید، تثبیت نانو ذرات آهن (III) هیدروکسید روی این صفحه‌ها با استفاده از روش ‌رسوب‌دهی انجام گرفت. گرافن اکسید و کامپوزیت تهیه شده با استفاده از روش‌های AFM ،Raman ،XRD ،FT-IR و SEM شناسایی شدند. نتیجه‌ها نشان داد که ذرات آهن (III) هیدروکسید با اندازه 24 نانومتر به صورت یکنواخت روی سطح گرافن اکسید تثبیت شده است. میزان درصد جذب یون‌های فلزی +Cr3+ ، Co2+ ، Ni2+ ، Zn2 و +Pb2 با استفاده از این کامپوزیت به ترتیب برابر با 29/3، 3/9، 35/0، 7/9 و 98/8 است. این کامپوزیت در جذب سرب به صورت انتخابی عمل کرده است.

منابع و مأخذ:

[1] Kroto, H.W.; Heath, J.; Smalley, R.E.; Nature,
318, 162, 1985.
[2] Iijima, S.; Nature, 354, 56, 1991.
[3] Novoselov, K.S.; Geim, A.K.; Morozov, S.V.; Jiang, D.; Zhang, Y.; Dobonos, S.V.; Science, 306, 666, 2004.
[4] Novoselov, K.S.; Geim, A.K.; Morozov, S.V.; Jiang, D.; Nature, 438, 1970, 2005.
[5] Terrones, M.; Botello-Mendez, A.; Campos-Delgado, J.; Lopez-Urias, F.; Nano Today, 5, 351, 2010.
[6] Fuzellier, H.; Melin, J.; Herold, A.; Carbon, 15, 45, 1977.
[7] Ubbelohde, A.R.; Lewis, L.A.; London, Oxford
University Press, 1960.
[8] Thompson, T.E.; Falardeau, E.R.; Hanlon, L.R.; Carbon, 15, 39, 1977.
[9] Novoselov, K.S.; Jiang, Z.; Zhang, Y.; Kim, P.; Geim, A.K.; Science, 315, 1379, 2007.
[10] Balandin A.A.; Ghosh, S.; Bao, W.; Lau, C.N.; Nano Letters, 8, 902, 2008.
[11] Zhang, Y.B.; Tan, Y.W.; Stormer, H.L.; Kim, P.; Nature, 438, 201, 2005.
[12] Novoselov, K.S.; Jiang, D.; Schedin, F.; Booth, T.J.; Geim, A.K.; Proceedings of the National Academy of Sciences of the United States of America, 102, 10451, 2005.
[13] Oostinga, J.B.; Heersche, H.B.; Liu, X.; Nat Mater., 7, 151, 2008.
[14] Kim, P.; Shi, L.; Majumda, A.; Phys. Rev. Lett., 87, 215502, 2001.
[15] Jiang, J.W.; Lan, J.; Wang, J.S.; Li, B.; J. Appl. Phys., 107, 054314, 2009.
[16] Yu, T.; Ni, Z.; Du, C.; J. Phys. Chem C., 112, 12602, 2008.
[17] Rafiee, M.A.; Rafiee, J.; Srivastava, I.; Koratkar,
N.; Small, 6, 179, 2010.
[18] Sundaram, R.S.; Balasubramanian, K.; Adv. Mater., 20, 3050, 2008.
[19] Hao, L.; Song, H.; Zhang, L.; Wan, X.; Tang, Y.; Yi Lv, Y.; Journal of Colloid and Interface Science, 369, 381, 2012.
[20] Wang, P.; Yanhui Ao, Y.; Wang, C.; Hou, J.; Qian, J.; Carbon, 50, 5256, 2012.

[21] Wang, X.; Hongwei, T.; Yan, Y.; Huan, W.; Shumin, W.; Weitao, Z.; Yichun, L.; Journal of Alloys and Compounds, 524, 5, 2012
[22] Ramesha, G.K.; Sampath, S.; Sensors and Actuators B: Chemical, 160, 306, 2011.
[23] Wang, Y.; Gao, S.; Zang, X.; Li, J.; Ma, J.; Anal. Chimica Acta, 716, 112, 2012.
[24] Deng, X.; Lu, L.; Li, H.; Luo, F.; Journal of Hazardous Materials, 183, 923, 2010.
[25] Staudenmaier, L.; Ber. Dtsch. Chem. Ges., 31, 1481, 1898.