فهرس المقالات Temperature sensor

• حرية الوصول المقاله
  • صفحة الملخص
  • نص كامل
  
  1 - Temperature sensor utilizing a ternary photonic crystal with a polymer layer sandwiched between Si and SiO2 layers
  Dena M. El-Amassi Sofyan A. Taya Dhasarathan Vigneswaran
  10.1007/s40094-018-0308-x
  AbstractRecently, one-dimensional periodic ternary photonic crystals have shown outstanding properties when compared to one-dimensional periodic binary photonic crystals. In this work, a ternary photonic crystal is proposed as a temperature sensor. The structure of the أکثر

  AbstractRecently, one-dimensional periodic ternary photonic crystals have shown outstanding properties when compared to one-dimensional periodic binary photonic crystals. In this work, a ternary photonic crystal is proposed as a temperature sensor. The structure of the ternary photonic structure is considered Si/polymer/SiO2. The transmission spectra of the proposed ternary photonic structure are studied for different temperatures. It is observed that as the temperature increases, the transmission peak shifts toward higher wavelengths due to thermo-optic and thermal expansion coefficients of the polymer. It is found that the temperature-sensitive transmission peak shift is considerably enhanced due to the insertion of the polymer layer between Si and SiO2 to constitute a ternary photonic crystal. تفاصيل المقالة
• حرية الوصول المقاله
  • صفحة الملخص
  • نص كامل
  
  2 - High Resolution Nano Temperature Sensor Based on Two-Dimensional Photonic Crystal
  Pardis Kazemi Esfeh Zahra Alaei
  In this paper, we designed a two-dimensional photonic crystal measurement nano-sensor with an octagonal ring resonator. This nano-sensor is designed using circular silicon rods in a rectangular lattice with a lattice constant of 820 nm, to detect temperatures from 0 ° C أکثر

  In this paper, we designed a two-dimensional photonic crystal measurement nano-sensor with an octagonal ring resonator. This nano-sensor is designed using circular silicon rods in a rectangular lattice with a lattice constant of 820 nm, to detect temperatures from 0 ° C to 540 ° C. Photonic band gap was calculated by PWE method and the sensor operating parameters such as sensitivity, transmission efficiency, and quality factor were calculated by FDTD method. As the temperature increases, the resonance wavelength changes to a higher wavelength. The designed photonic crystal nano-sensor works at the resonance wavelength λ = 1733 nm and with the TE polarization. The maximum transmission efficiency, quality factor, and sensitivity are 100%, 582.66, and 33.33 pm/°C, respectively. This nano temperature sensor, designed to work in the nanoscale, can sense the slightest temperature change, so it is well suited for critical and sensitive nanotechnology systems. تفاصيل المقالة
• حرية الوصول المقاله
  • صفحة الملخص
  • نص كامل
  
  3 - Stress Waves in a Generalized Thermo Elastic Polygonal Plate of Inner and Outer Cross Sections
  R Selvamani
  The stress wave propagation in a generalized thermoelastic polygonal plate of inner and outer cross sections is studied using the Fourier expansion collocation method. The wave equation of motion based on two-dimensional theory of elasticity is applied under the plane s أکثر

  The stress wave propagation in a generalized thermoelastic polygonal plate of inner and outer cross sections is studied using the Fourier expansion collocation method. The wave equation of motion based on two-dimensional theory of elasticity is applied under the plane strain assumption of generalized thermoelastic plate of polygonal shape, composed of homogeneous isotropic material. The frequency equations are obtained by satisfying the irregular boundary conditions along the inner and outer surface of the polygonal plate. The computed non-dimensional wave number and wave velocity of triangular, square, pentagonal and hexagonal plates are given by dispersion curves for longitudinal and flexural antisymmetric modes of vibrations. The roots of the frequency equation are obtained by using the secant method, applicable for complex roots. تفاصيل المقالة
• حرية الوصول المقاله
  • صفحة الملخص
  • نص كامل
  
  4 - طراحی حسگر دمای کم توان مبتنی بر عملکرد زیرآستانه ترانزیستورهای نانولوله کربنی با خطای یک و نیم درجه سانتی‌گراد درمحدوده 30- تا 125 درجه سانتی‌گراد
  سید محمد علی زنجانی معصومه عالی پور مصطفی پرویزی
  در این مقاله، یک ‌حس گر دمای جدید مبتنی بر عملکرد ترانزیستورهای نانو لوله کربنی در ناحیه زیرآستانه طراحی و شبیه سازی شده است که باعث کاهش چشم گیر توان مصرفی می شود. در خروجی از یک تقویت کننده تفاضلی استفاده شده و جهت ثابت ماندن مقادیر بهره و سطح مد مشترک در اثر تغییرات أکثر

  در این مقاله، یک ‌حس گر دمای جدید مبتنی بر عملکرد ترانزیستورهای نانو لوله کربنی در ناحیه زیرآستانه طراحی و شبیه سازی شده است که باعث کاهش چشم گیر توان مصرفی می شود. در خروجی از یک تقویت کننده تفاضلی استفاده شده و جهت ثابت ماندن مقادیر بهره و سطح مد مشترک در اثر تغییرات دما، روشی پیشنهادی می تواند به جبران سازی این تغییرات ناشی از تغییرات دمایی در محدوده 30- الی 125+ درجه سانتی گراد پاسخ دهد. حس گر دمایی به همراه تقویت کننده آن می تواند به صورت یک سیستم بر روی سطح تراشه برای مانیتورینگ و کنترل دما استفاده گردد. همچنین در فناوری ترانزیستور اثر میدان نانو لوله کربنی (CNTFET) با ولتاژ تغذیه 5/0 ولت در ناحیه زیرآستانه توسط نرم افزار HSPICE توسط مدل نانوکربنی (CNT) 32 نانومتر شبیه سازی شده است. نتایج شبیه‌سازی نشان می دهد که در دماهای 30- تا 125 درجه سانتی گراد به صورت خطی و با حساسیت یک میلی ولت بر درجه، دما را اندازه گیری می کند و در دمای اتاق تنها 123 نانو وات توان مصرف می نماید. همچنین خطای اندازه گیری شده در دمای 125 درجه سانتی گراد حدود 5/2 میلی-ولت است که به معنی خطای 25/1 درجه سانتی گراد در این دما است. تفاصيل المقالة