فهرس المقالات SiC2

• حرية الوصول المقاله
  • صفحة الملخص
  • نص كامل
  
  1 - بهینه‌سازی دما و زمان فرآیند سیلیکون خورانی پیش‌سازه‌های متخلخل TiC به منظور ساخت سرامیک نانولایه Ti3SiC2 و بررسی خواص مکانیکی آن
  حمزه فراتی‌راد حمید رضا بهاروندی محمد قنادی مراغه
  کاربیدهای سه‌تایی نانولایه Ti3SiC2، گروهی از سرامیک‌های سه‌تایی هستند که به علت ترکیبی از ویژگی‌های فلزی و سرامیکی در دهه اخیر بسیار مورد توجه قرار گرفته‌اند. در این تحقیق، کاربیدهای سه‌تایی نانولایه Ti3SiC2 با روش سیلیکون خورانی پیش‌سازه‌های TiC ساخته شده با روش ریخته‌ أکثر

  کاربیدهای سه‌تایی نانولایه Ti3SiC2، گروهی از سرامیک‌های سه‌تایی هستند که به علت ترکیبی از ویژگی‌های فلزی و سرامیکی در دهه اخیر بسیار مورد توجه قرار گرفته‌اند. در این تحقیق، کاربیدهای سه‌تایی نانولایه Ti3SiC2 با روش سیلیکون خورانی پیش‌سازه‌های TiC ساخته شده با روش ریخته‌گری ژلی سنتز شدند و اثر دما و زمان فرآیند مذاب خورانی روی تشکیل Ti3SiC2 مورد بحث قرار گرفت. تشکیل فاز و ریزساختار به وسیله XRD و SEM مجهز به آنالیز عنصری EDS مورد بررسی قرار گرفت. نتایج نشان داد که بهترین دما و زمان به منظور تولید مکس فاز Ti3SiC2 با خلوص بالا، به ترتیب °C 1500 و 90 دقیقه است. با افزایش دمای مذاب خورانی به بالاتر از °C 1500 مکس فاز به TiC و Si تجزیه می‌شود. همچنین مشخص شد که ترکیب نمونه‌ها به شدت به زمان مذاب خورانی وابسته است و با افزایش زمان مذاب خورانی مکس فاز به TiC تجزیه می‌شود. نتایج ریز سختی‌سنجی نشان داد که سختی نمونه‌ها با افزایش مقدار TiC افزایش می‌یابد. مقدار سختی ویکرز برای کامپوزیت Ti3SiC2–85wt.%TiC به مقدار بیشینه GPa 3/21 می‌رسد. چقرمگی شکست کامپوزیت Ti3SiC2-12wt.%TiC نیز برابر با MPa.m1/2 63/5 اندازه‌گیری شد. تفاصيل المقالة
• حرية الوصول المقاله
  • صفحة الملخص
  • نص كامل
  
  2 - خواص ساختاری و الکترونی تک لایه SiC2 در حضور گاز استالدهید: امکان سنجی کاربرد به عنوان حسگر گاز
  خلیل صیدالی جوانمردی زهرا کرمی هرستانی
  در مقاله پیش رو، به بررسی تاثیر جذب مولکول استالدهید بر خواص ساختاری و الکترونی تک لایه SiC2 با استفاده از نظریه تابعی چگالی پرداخته شده است. به این منظور، پیکربندی های مختلف جذب مولکول بر روی تک لایه مورد بررسی قرار گرفته و پایدارترین ساختار براساس انرژی جذب گزارش شده أکثر

  در مقاله پیش رو، به بررسی تاثیر جذب مولکول استالدهید بر خواص ساختاری و الکترونی تک لایه SiC2 با استفاده از نظریه تابعی چگالی پرداخته شده است. به این منظور، پیکربندی های مختلف جذب مولکول بر روی تک لایه مورد بررسی قرار گرفته و پایدارترین ساختار براساس انرژی جذب گزارش شده است. نتایج نشان داد که مولکول استالدهید به صورت فیزیکی با انرژی در حدود ۳۱۰/۰ الکترون ولت بررویSiC2 جذب می شود. مقایسه ساختار نواری و چگالی حالاتSiC2 قبل و بعد از جذب مولکول استالدهید نشان داد که گاف انرژی و فاصله تراز فرمی تا نوار هدایت پس از جذب استالدهید به ترتیب 0/008 و 0/006 الکترون ولت افزایش می یابد که می تواند موجب کاهش هدایت الکتریکی تک لایه گردد. بر اساس محاسبات انجام شده از تک لایهSiC2 می توان به عنوان حسگر گاز استالدهید براساس تغییر هدایت، تغییر گرمای واکنش یا به عنوان سطح جاذب در حسگرهای گاز پیزوالکتریک بهره برد. تفاصيل المقالة
• حرية الوصول المقاله
  • صفحة الملخص
  • نص كامل
  
  3 - Synthesis of (Tix,W1-x)3SiC2 MAX phase by mechanical milling
  Ali Bashirisafa Akbar Heidarpour Samad Ghasemi
  This study has investigated the synthesis of (Ti1-xWx)3SiC2 MAX phase via high energy ball milling, and the effect of heat treatment and excess Si on the purity of synthesized powder were explored. In this regards, different mixtures of Ti, Si, and C were ball milled by أکثر

  This study has investigated the synthesis of (Ti1-xWx)3SiC2 MAX phase via high energy ball milling, and the effect of heat treatment and excess Si on the purity of synthesized powder were explored. In this regards, different mixtures of Ti, Si, and C were ball milled by a planetary ball mill for various milling times up to 15h. The phase evolution of products was studied by X-ray diffraction (XRD), and the morphological changes monitored by a field emission scanning electron microscopy (FESEM) equipped with energy-dispersive spectroscopy (EDS). The results showed that after 15 hours of ball milling the reaction started, and resulted in Ti3SiC2 and TiC formation. The as-synthesized powders were then compacted and heat treated at 600, 1000, 1250 and 1400˚C. Heat treatment caused to proceed in the reaction between the intermetallic compounds in Si-Ti system and TiC, and led to increasing the purity of Ti3SiC2. In a separate run, a non-stoichiometric composition of Ti: Si:C= 3:1.2:2 was ball milled for 15 h, and heat treated at 1250˚C. The XRD results showed that the purity of the product is higher than the stoichiometric composition. The addition of W to Ti3SiC2 was also explored. In this regard, the synthesis of (Ti1-xWx)3SiC2 component (x= 0.8, 0.5) was investigated, and the results showed that some W incorporated in Ti3SiC2 structure, and the WC and TixW1-x formed during the process. تفاصيل المقالة
• حرية الوصول المقاله
  • صفحة الملخص
  • نص كامل
  
  4 - ساخت پیش سازه متخلخل TiC با روش ریخته گری ژلی به منظور فرآوری مکس فاز Ti3SiC2 از طریق مذاب خورانی پیش سازه
  حمزه فراتی راد حمیدرضا بهاروندی محمد قنادی مراغه
  ترکیب سه‌تایی Ti3SiC2 یک نمونه از موادی است که ویژگی‌های فلزات و سرامیک‌ها را باهم نشان می‌دهند. شبیه فلزات این ترکیب یک ماده هادی حرارت و الکتریسیته است و مستعد به شوک حرارتی نیست و در دماهای بالا ویژگی‌های پلاستیکی نشان می‌دهد. هنگامی‌که به عنوان یک سرامیک مورد توجه ق أکثر

  ترکیب سه‌تایی Ti3SiC2 یک نمونه از موادی است که ویژگی‌های فلزات و سرامیک‌ها را باهم نشان می‌دهند. شبیه فلزات این ترکیب یک ماده هادی حرارت و الکتریسیته است و مستعد به شوک حرارتی نیست و در دماهای بالا ویژگی‌های پلاستیکی نشان می‌دهد. هنگامی‌که به عنوان یک سرامیک مورد توجه قرار می‌گیرد، این ماده صلب، سبک و مقاوم در برابر خزش و خستگی است و استحکام خود را تا دماهای بالا حفظ می‌کند. در این مقاله قطعات Ti3SiC2 از طریق مذاب خورانی مایع سیلیکون به درون پیش‌سازه‌های متخلخل TiC سنتز می‌شوند. پودرهای خلوص بالای TiC و Si با نسبت‌های مولی 3TiC/(1+x) Si (با x برابر با 30/0، 50/0 و 1) به عنوان مواد اولیه مورد استفاده قرار گرفتند. قرص سیلیکون به عنوان منبع فلز مذاب در بالای نمونه‌ها قرار داده می‌شود. تشکیل فاز و ریزساختار به وسیله XRD و SEM مجهز به آنالیز عنصری EDS مورد بررسی قرار گرفت. نتایج نشان داد که مقدار سیلیکون اضافی 50 درصد منجر به تشکیل Ti3SiC2 با خلوص 92 درصد می‌شود. با افزایش مقدار سیلیکون اضافی تا 100 درصد، شرایط برای تشکیل فاز ثانویه SiC مساعد می‌شود. همچنین افزایش مقدار سیلیکون اضافی منجر به تشکیل مکس فاز Ti3SiC2 با مورفولوژی ستونی می‌شود. تفاصيل المقالة