• فهرس المقالات Semiconductor

      • حرية الوصول المقاله

        1 - Scattering of quantum hydromagnetic waves in a semiconductor plasma
        Zeynab Kiamehr Zohreh Kiamehr
        10.57647/J.JTAP.2023.1705.48
        In addition to the fact that waves have been proven in different plasma environments, they have also been investigated under different physical regimes. In this research, the propagation of electromagnetic waves in quantum semiconductor plasma in the presence of a unifo أکثر
        In addition to the fact that waves have been proven in different plasma environments, they have also been investigated under different physical regimes. In this research, the propagation of electromagnetic waves in quantum semiconductor plasma in the presence of a uniform external magnetic field was investigated using the quantum hydro magnetism model. The researches that have been done so far about these waves have mostly been done in classical or relativistic regimes. Some cases have been studied to study linear waves in quantum plasma, taking into account the quantum Bohm potential without investigating the effect of the spin characteristics of plasma particles. In addition to the simultaneous study of spin and quantum effects of semiconductor plasma components, exchange-correlation relationships have not been found in any research, and the most important novelty of the present work can be considered the addition of these relationships together. The obtained results show that the effects of quantum and external magnetic fields have a significant effect on the scattering of hydromagnetic waves, which causes the appearance of nonlinear terms in the scattering relationship. By increasing the linear part of the electron spin in the sputtering relation, some relations have been modified, including the Alfven velocity. On the other hand, the effect of electron spin leads to the reduction of the effect of other quantum potentials on the scattering of waves. In the end, some special states of classical and quantum systems are also discussed. Considering the limit states, the results of the present work are exactly similar to the results of other researchers, and this can be a self-confirmation of the obtained results. تفاصيل المقالة
      • حرية الوصول المقاله

        2 - Effects of electric field on magnetic properties of MnxGe1-xdocumentclass[12pt]{minimal} usepackage{amsmath} usepackage{wasysym} usepackage{amsfonts} usepackage{amssymb} usepackage{amsbsy} usepackage{mathrsfs} usepackage{upgreek} setlength{oddsidemargin}{-69pt} egin{document}$$Mn_{x}Ge_{1-x}$$end{document} diluted magnetic semiconductors
        Gezahegn Assefa P. Singh
        10.1007/s40094-015-0195-3
        AbstractWe report the effect of external electric field (EEF) on the magnetic properties of MnxGe1-xdocumentclass[12pt]{minimal} usepackage{amsmath} usepackage{wasysym} usepackage{amsfonts} usepackage{amssymb} usepackage{amsbsy} usepackage{mathrsfs} usepackage{upgreek} أکثر
        AbstractWe report the effect of external electric field (EEF) on the magnetic properties of MnxGe1-xdocumentclass[12pt]{minimal} usepackage{amsmath} usepackage{wasysym} usepackage{amsfonts} usepackage{amssymb} usepackage{amsbsy} usepackage{mathrsfs} usepackage{upgreek} setlength{oddsidemargin}{-69pt} egin{document}$$small {Mn_{x}Ge_{1-x}}$$end{document}, diluted magnetic semiconductor. We present a Kondo Lattice Model type Hamiltonian with exchange coupling between localized spins, itinerant holes and the EEF. The magnetization, the dispersion and critical temperature (Tcdocumentclass[12pt]{minimal} usepackage{amsmath} usepackage{wasysym} usepackage{amsfonts} usepackage{amssymb} usepackage{amsbsy} usepackage{mathrsfs} usepackage{upgreek} setlength{oddsidemargin}{-69pt} egin{document}$$T_{c}$$end{document}) are calculated for different values of EEF parameters (αdocumentclass[12pt]{minimal} usepackage{amsmath} usepackage{wasysym} usepackage{amsfonts} usepackage{amssymb} usepackage{amsbsy} usepackage{mathrsfs} usepackage{upgreek} setlength{oddsidemargin}{-69pt} egin{document}$$alpha$$end{document}) using double time temperature-dependent Green function formalism. The enhancement of the (Tcdocumentclass[12pt]{minimal} usepackage{amsmath} usepackage{wasysym} usepackage{amsfonts} usepackage{amssymb} usepackage{amsbsy} usepackage{mathrsfs} usepackage{upgreek} setlength{oddsidemargin}{-69pt} egin{document}$$T_{c}$$end{document}) with the EEF is shown to be very distinct and is in agreement with recent experimental observation and much required for spintronics applications and devices. تفاصيل المقالة
      • حرية الوصول المقاله

        3 - Dynamics of a low-threshold optically pumped organic vertical-cavity surface-emitting laser
        Mohammad Reza Shayesteh Ghafar Darvish
        10.1007/s40094-016-0209-9
        AbstractWe propose a low-threshold optically pumped organic vertical-cavity surface-emitting laser (OVCSEL). This device has the capability to apply both electrical and optical excitation. The microcavity structure consists of an organic light emitting diode with field- أکثر
        AbstractWe propose a low-threshold optically pumped organic vertical-cavity surface-emitting laser (OVCSEL). This device has the capability to apply both electrical and optical excitation. The microcavity structure consists of an organic light emitting diode with field-effect electron transport inserted in a high-quality factor double distributed Bragg reflector. The simulated quality factor of the microcavity is shown to be as high as 16,000. Also, we investigate threshold behaviour and the dynamics of the optically pumped OVCSEL with sub-picosecond pulses. Results from numerical simulation show that lasing threshold is 12.8 pJ/0.64 µJ cm−2 when pumped by sub-picosecond pulses of λ = 400 nm wavelength light. تفاصيل المقالة
      • حرية الوصول المقاله

        4 - Electromagnetically induced grating in semiconductor quantum dot and metal nanoparticle hybrid system by considering nonlocality effects
        Tayebeh Naseri
        10.1007/s40094-020-00373-6
        AbstractThe optical polarization from a hybrid system including a closely spaced spherical SQD (modeled as a three-level V-type system) and a metal nanoparticle which are considered classically and are connected by the dipole–dipole interaction mechanism is investigated أکثر
        AbstractThe optical polarization from a hybrid system including a closely spaced spherical SQD (modeled as a three-level V-type system) and a metal nanoparticle which are considered classically and are connected by the dipole–dipole interaction mechanism is investigated. The interaction between the SQD and the MNP shows an interesting optical response. In the weak probe field regime and MNP nonlocality correction, the absorption spectrum of the hybrid system exhibits an EIT window with two absorption peaks and the plasmon-assisted quantum interference plays an important role in the position and amplitude of these peaks, which are intensely altered by including the nonlocal effects. The probe diffraction grating is created based on the excitons-induced transparency by applying a standing-wave coupling field. The results of this study are useful in numerous areas of all-optical communications. تفاصيل المقالة
      • حرية الوصول المقاله

        5 - Investigation the Dependence of Mobility on Carrier Concentration and Temperature in Organic Semiconductors
        Ali Mahmoudloo
        10.30495/jptc.2023.70455.1244
        The charge carrier mobility is a key performance criteria for organic semiconductors. High-mobility values allow fast device operation as needed for low-cost electronics on large areas with performance meeting market demands. Mobility is conveniently extracted from thin أکثر
        The charge carrier mobility is a key performance criteria for organic semiconductors. High-mobility values allow fast device operation as needed for low-cost electronics on large areas with performance meeting market demands. Mobility is conveniently extracted from thin film transistors (TFT) characteristics using the standard gradual channel approximation model. This approach evaluates the mobility of charges during their transport through the high-density accumulation layer at the semiconductor-dielectric interface. This value is therefore directly representative of transistor operation and is a relevant parameter for device integration into circuits. In this paper we have calculated the mobility of an organic semiconductor, one can use percolation theory,. The current flows through the bonds connecting the sites in the network. So far, much attention has been devoted to explain the temperature dependence of the mobility. The model gives a non-Arrhenius-type temperature dependence, which has also been supported by numerical simulations and analytical calculations. تفاصيل المقالة
      • حرية الوصول المقاله

        6 - AB Initio Study of Molecular Struture, Energetic and Vibrational Spectra of (GaN)4 Nanosemiconductor
        E. Poumamdari M. khaleghian
        In recent years there has been considerable interest in the structures, energies and thermodynamics of(GaN)4 clusters and it is the subject of many experimental and theoretical studies because of theirfundamental importance in chemical and physical process. All calculat أکثر
        In recent years there has been considerable interest in the structures, energies and thermodynamics of(GaN)4 clusters and it is the subject of many experimental and theoretical studies because of theirfundamental importance in chemical and physical process. All calculation of this study is carried outby Gaussian 98. Geometry optimization for (GaN)4 nanocluster are be fulfilled at B3LYP, B1LYPand LSDA levels of theory with LANL2DZ basis set. Calculated are accomplished at 298 K. Thestructures, energetic and thermodynamic properties and vibrational spectra will be discussed. تفاصيل المقالة
      • حرية الوصول المقاله

        7 - Application of Magnetic Nano Adsorbent Fe2O3 for Removal of Hazardous Ponceau-S Dye from Aqueous Solution
        B. N. Patil D. S. Shirsath Y. V. Marathe V. S. Shrivastava
        The photodegradation of Ponceau-S dye was investigated using UV radiation in presence of nanosized Fe2 O3 .Removal efficiency of Ponceau-S was sensitive to the operational parameters such as dye concentration, catalyst dose, pH, contact time, TOC and COD. The photocatal أکثر
        The photodegradation of Ponceau-S dye was investigated using UV radiation in presence of nanosized Fe2 O3 .Removal efficiency of Ponceau-S was sensitive to the operational parameters such as dye concentration, catalyst dose, pH, contact time, TOC and COD. The photocatalytic treatment of red colored Ponceau-S dye by magnetic nano semiconductor (Fe2 O3 )is an effective, economic and faster mode. The kinetics and isotherm studies were carried out. A simple kinetics model was proposed which confirmed pseudo second order reaction. Langmuir isotherm fitted this study. The optimum conditions for the degradation of the dye were initial concentration 50 mgL-1, pH 8, contact time 20 minutes and catalyst dose 5 gL-1 of Fe2 O3 .The semiconductor photocatalyst was also carried out for SEM and XRD analysis which confirms the utilized semiconductor was nanosized. تفاصيل المقالة
      • حرية الوصول المقاله

        8 - طراحی و ساخت ساختار فلز- اکسید- نیمه هادی به روش لایه نشانی الکتروشیمیایی
        عاطفه چاهکوتاهی
        تولید پیوند فلز- عایق- نیمه هادی MOS به روش فلزنشانی الکتروشیمیایی گزارش گردیده است. برای انجام کار ابتدا مفتولی از جنس نیکل- کروم را در محیط های الکترولیت مناسب قرار داده و با اعمال ولتاژ، بترتیب لایه های نازک آلومینیوم و فلز روی بر سطح آن نشانده شد . در مرحله بعد لایه أکثر
        تولید پیوند فلز- عایق- نیمه هادی MOS به روش فلزنشانی الکتروشیمیایی گزارش گردیده است. برای انجام کار ابتدا مفتولی از جنس نیکل- کروم را در محیط های الکترولیت مناسب قرار داده و با اعمال ولتاژ، بترتیب لایه های نازک آلومینیوم و فلز روی بر سطح آن نشانده شد . در مرحله بعد لایه های حاصل در دمای 400 درجه سانتیگراد در معرض هوا اکسید گردید تا لایه های اکسید آلومینیوم به عنوان عایق و اکسید روی به عنوان نیمه هادی تشکیل گردد. با بررسی منحنی آرنیوس ضمن تأیید نیمه هادی بودن لایه اکسید روی فاصله ترازهای انرژی ناخالصی از تراز هدایت آن 18/0 ولت به دست آمد. همچنین با بررسی منحنی C-V در خازن MOS حاصله، ضمن تأیید تشکیل پیوند فلز- عایق- نیمه هادی، ولتاژ آستانه آن حدود 75/2 ولت بدست آمد. این فعالیت خصوصاً نشاندن لایه هایی از مواد مختلف به عنوان روش نو قابل عرضه است. تفاصيل المقالة
      • حرية الوصول المقاله

        9 - Anisotropic and Isotropic Elasticity Applied for the Study of Elastic Fields Generated by Interfacial Dislocations in a Heterostructure of InAs/(001)GaAs Semiconductors
        R Makhloufi A Boussaha R Benbouta L Baroura
        10.22034/jsm.2021.1920891.1672
        This work is a study of the elastic fields’ effect (stresses and displacements) caused by dislocations networks at a heterostructure interface of a InAs / GaAs semiconductors thin system in the cases of isotropic and anisotropic elasticity. The numerical study of أکثر
        This work is a study of the elastic fields’ effect (stresses and displacements) caused by dislocations networks at a heterostructure interface of a InAs / GaAs semiconductors thin system in the cases of isotropic and anisotropic elasticity. The numerical study of this type of heterostructure aims to predict the behavior of the interface with respect to these elastic fields satisfying the boundary conditions. The method used is based on a development in Fourier series. The deformation near the dislocation is greater than the other locations far from the dislocation. تفاصيل المقالة
      • حرية الوصول المقاله

        10 - Photothermoelastic Investigation of Semiconductor Material Due to Distributed Loads
        N Sharma R Kumar
        10.22034/jsm.2020.1907462.1639
        A dynamic mathematical model of photothermoelastic (semiconductor) medium is developed to analyze the deformation due to inclined loads. The governing equations for photothermoelastic with dual phase lag model are framed for two dimensional case and are further simplifi أکثر
        A dynamic mathematical model of photothermoelastic (semiconductor) medium is developed to analyze the deformation due to inclined loads. The governing equations for photothermoelastic with dual phase lag model are framed for two dimensional case and are further simplified by using potential function. Appropriate transforms w.r.t time (Laplace) and w.r.t space variables (Fourier) are employed on the resulting equations which convert the system of equations into differential equation. The problem is examined by deploying suitable mechanical boundary conditions. Specific types of distributed loads as uniformly distributed force and Linearly distributed force are taken to examine the utility of the model. The analytic expressions like displacements, stresses, temperature distribution and carrier density are obtained in the new domain (transformed).To recover the quantities in the physical domain, numerical inversion technique is employed. Numerical computed results with different angle of inclination vs distance are analyzed with and without dual phase lag theories of thermoelasticity in the form of visual representations. It is seen that physical field quantities are sensitive towards photothermoelastic and phase lag parameters. تفاصيل المقالة
      • حرية الوصول المقاله

        11 - Hydrogen solar fuel generation from photocatalytic decomposition of H2S-containing media via nanostructured solid-solution semiconductor
        M Ghanimati Sh Afshari M Lashgari
        Hydrogen sulfide is a flammable, malodorous, highly toxic and corrosive compound which is produced in large quantities as a by-product in many industrial processes. However, it will be economically and environmentally advantageous if it is photodecomposed to generate hy أکثر
        Hydrogen sulfide is a flammable, malodorous, highly toxic and corrosive compound which is produced in large quantities as a by-product in many industrial processes. However, it will be economically and environmentally advantageous if it is photodecomposed to generate hydrogen, which is a clean and renewable energy carrier. In this paper, a nanostructured solid-solution semiconductor material from the family of cadmium-zinc-sulfide was synthesized through a facile hydrothermal method and was applied as alloy photocatalyst to generate hydrogen fuel via a H2S photodecomposition process. Morphological and optical properties of the sample have been characterized by XRD, FE-SEM, EDS and UV-vis DRS techniques. Solid-solution semiconductor exhibited a good photocatalytic performance. تفاصيل المقالة
      • حرية الوصول المقاله

        12 - مطالعه تحرک پذیری حاملین بار در نیمرسانای گالیوم آرسناید آلاییده با Cr و Co مورد استفاده در سلول های خورشیدی شاتلهای فضایی
        حسن خالقی
        گالیوم آرسنید نیمرسانایی از ترکیب ستون های III-V جدول تناوبی است. این نیمرسانا دارای گاف مستقیم eV 1/42 در دمای اتاق می باشد و از آن استفاده‌ی گسترده‌ای در تکنولوژی و ساخت قطعات نیمرسانا مانند سلول های خورشیدی می شود از این جهت مطالعه ی خواص آن حایز اهمیت است.در این مقا أکثر
        گالیوم آرسنید نیمرسانایی از ترکیب ستون های III-V جدول تناوبی است. این نیمرسانا دارای گاف مستقیم eV 1/42 در دمای اتاق می باشد و از آن استفاده‌ی گسترده‌ای در تکنولوژی و ساخت قطعات نیمرسانا مانند سلول های خورشیدی می شود از این جهت مطالعه ی خواص آن حایز اهمیت است.در این مقاله خواص ترابردی نیمرسانای GaAs از نوع p مورد مطالعه قرار گرفته است. نمونه های تحت بررسی که شامل دو نمونه نیمرسانای GaAs هستند به ترتیب با عناصر Cr وCo آلاییده شده اند. این ناخالصی ها ناهمگنی زیادی را در شبکه ی GaAs به وجود می آورند و از این لحاظ مکانیزم پراکندگی خاصی را برای حاملین بار در GaAs ایجاد می‌کنند. در این کار تجربی تحرک پذیری حاملین در گستره ی دمایی (400-100) درجه ی کلوین برای هر سه نمونه مذکور مورد بررسی قرار گرفته است. به دلیل بزرگ بودن گاف انرژی GaAs، در بازه ی دمایی فوق رسانش از نوع رسانش غیرذاتی است. با بررسی منحنی های تحرک پذیری حاملها بر حسب دما مشخص شد دو نوع پراکندگی شامل پراکندگی یونی و پراکندگی شبکه ای در نمونه ها دارای اهمیت هستند. به طوری که در دماهای پایین پراکندگی یونها ناخالصی و در دماهای بالا پراکندگی شبکه ای حاکم است. تفاصيل المقالة
      • حرية الوصول المقاله

        13 - رسانندگی الکتریکی حاملین بار در نیمرسانای گالیوم آرسناید آلاییده با Cr و Co مورد استفاده در سلول های خورشیدی و آشکارسازهای فیبر نوری
        حسن خالقی
        گالیوم آرسناید ترکیبی از عنصرهای گروه‌های III-V جدول تناوبی عناصر است. گالیوم آرسناید در ساختاری بلوری مشهور به zinc blende متبلور می‌شود. این ساختار به ساختار شبکه‌ی بلوری الماس بسیار شبیه است، اما در الماس فقط یک نوع اتم (کربن) وجود دارد در حالی که در این ماده هر موضع أکثر
        گالیوم آرسناید ترکیبی از عنصرهای گروه‌های III-V جدول تناوبی عناصر است. گالیوم آرسناید در ساختاری بلوری مشهور به zinc blende متبلور می‌شود. این ساختار به ساختار شبکه‌ی بلوری الماس بسیار شبیه است، اما در الماس فقط یک نوع اتم (کربن) وجود دارد در حالی که در این ماده هر موضع اتمی به تناوب توسط یکی از اتم‌های آرسنیک یا گالیوم اشغال می‌شود. از این نیمرسانای استفاده‌ی گسترده‌ای در تکنولوژی و ساخت قطعات نیمرسانا مانند مدارهای مجتمع، دیودهای مادون قرمز، دیودهای لیزری و سلول های خورشیدی می شود از این جهت مطالعه‌ی خواص آن حایز اهمیت است.در این مقاله رسانندگی الکتریکی نیمرسانای GaAs از نوع p مورد مطالعه قرار گرفته است. نمونه های تحت بررسی که شامل دو نمونه نیمرسانایی GaAs هستند به ترتیب با عناصر Cr وCo آلاییده شده اند. این ناخالصی ها ناهمگنی زیادی را در شبکه‌ی GaAs به وجود می‌آورند و از این لحاظ مکانیزم پراکندگی خاصی را برای حاملین بار در GaAs ایجاد می‌کنند. در این کار تجربی رسانندگی الکتریکی حاملین در گستره‌ی دمایی (400-100) درجه‌ی کلوین برای هر دو نمونه مذکور مورد بررسی قرار گرفته است. به دلیل بزرگ بودن گاف انرژی GaAs، در بازه‌ی دمایی فوق رسانش از نوع رسانش غیرذاتی است. تفاصيل المقالة
      • حرية الوصول المقاله

        14 - ترابرد الکترونی و رسانندگی الکتریکی حاملین بار درتک بلورهای GaAs از نوع P در محدوده‌ی دمایی(400-100) درجه‌ی کلوین
        حسن خالقی
        گالیوم آرسناید ترکیبی از عنصرهای گروه‌های III-V جدول تناوبی عناصر است. گالیوم آرسناید در ساختاری بلوری مشهور به zinc blende متبلور می‌شود. این ساختار به ساختار شبکه‌ی بلوری الماس بسیار شبیه است. از این نیمرسانای استفاده‌ی گسترده‌ای در تکنولوژی و ساخت قطعات نیمرسانا مانن أکثر
        گالیوم آرسناید ترکیبی از عنصرهای گروه‌های III-V جدول تناوبی عناصر است. گالیوم آرسناید در ساختاری بلوری مشهور به zinc blende متبلور می‌شود. این ساختار به ساختار شبکه‌ی بلوری الماس بسیار شبیه است. از این نیمرسانای استفاده‌ی گسترده‌ای در تکنولوژی و ساخت قطعات نیمرسانا مانند مدارهای مجتمع، دیودهای مادون قرمز، دیودهای لیزری و سلول های خورشیدی می شود از این جهت مطالعه‌ی خواص آن حایز اهمیت است. در این مقاله رسانندگی الکتریکی نیمرسانای GaAs از نوع p مورد مطالعه قرار گرفته است. نمونه های تحت بررسی که شامل دو نمونه نیمرسانایی GaAs هستند به ترتیب با عناصر Cr وFe آلاییده شده اند. این ناخالصی ها ناهمگنی زیادی را در شبکه‌ی GaAs به وجود می‌آورند و از این لحاظ مکانیزم پراکندگی خاصی را برای حاملین بار در GaAs ایجاد می‌کنند. در این کار تجربی رسانندگی الکتریکی حاملین در گستره‌ی دمایی (400-100) درجه‌ی کلوین برای هر دو نمونه مذکور مورد بررسی قرار گرفته است. تفاصيل المقالة
      • حرية الوصول المقاله

        15 - اندازه گیری ثابت هال در نیمرسانای گالیوم آرسناید آلاییده با Cr و Fe مورد استفاده در ساخت سنسورهای پیشرفته
        حسن خالقی
        گالیوم آرسناید ترکیبی از عنصرهای گروه‌های III-V جدول تناوبی عناصر است. گالیوم آرسناید در ساختاری بلوری مشهور به الماس گونه متبلور می‌شود. این ساختار به ساختار شبکه‌ی بلوری الماس بسیار شبیه است، اما در الماس فقط یک نوع اتم (کربن) وجود دارد در حالی که در این ماده هر موضع أکثر
        گالیوم آرسناید ترکیبی از عنصرهای گروه‌های III-V جدول تناوبی عناصر است. گالیوم آرسناید در ساختاری بلوری مشهور به الماس گونه متبلور می‌شود. این ساختار به ساختار شبکه‌ی بلوری الماس بسیار شبیه است، اما در الماس فقط یک نوع اتم (کربن) وجود دارد در حالی که در این ماده هر موضع اتمی به تناوب توسط یکی از اتم‌های آرسنیک یا گالیوم اشغال می‌شود. از این نیمرسانای استفاده‌ی گسترده‌ای در تکنولوژی و ساخت قطعات نیمرسانا مانند مدارهای مجتمع، سنسورهای پیشرفته، دیودهای لیزری و سلول‌های خورشیدی می شود از این جهت مطالعه‌ی خواص آن حایز اهمیت است. در این مقاله ضریب ثابت هال نیمرسانای GaAs از نوع p مورد مطالعه قرار گرفته است. نمونه های تحت بررسی که شامل دو نمونه نیمرسانای GaAs هستند به ترتیب با عناصر Cr وFe آلاییده شده‌اند. این ناخالصی‌ها ناهمگنی زیادی را در شبکه‌ی GaAs به وجود می‌آورند و از این لحاظ مکانیزم پراکندگی خاصی را برای حاملین بار در GaAs ایجاد می‌کنند. در این کار تجربی ضریب ثابت هال در گستره‌ی دمایی (400-100) درجه‌ی کلوین برای هر دو نمونه مذکور مورد بررسی قرار گرفته است. تفاصيل المقالة
      • حرية الوصول المقاله

        16 - Passivity of AISI 316L stainless steel as a function of nitric concentration
        Arash Fattah-alhosseini Mohamad Ali Sonamia Atena Loghmani Fariba Zerafati Shoja
        In this study, electrochemical behaviour of passive films formed on AISI 316L stainless steel (AISI 316L) in three acidic solutions concentrations (0.3, 0.6, and 0.9M HNO3) under open circuit potential conditions were evaluated by potentiodynamic polarization, Mott&ndas أکثر
        In this study, electrochemical behaviour of passive films formed on AISI 316L stainless steel (AISI 316L) in three acidic solutions concentrations (0.3, 0.6, and 0.9M HNO3) under open circuit potential conditions were evaluated by potentiodynamic polarization, Mott–Schottky analysis and electrochemical impedance spectroscopy (EIS) techniques. The potentiodynamic polarization results showed that the corrosion potentials of AISI 316L shift towards positive direction with increase in solution concentration. Also, these results reveal that the corrosion rate of AISI 316L is enhanced in solutions with higher nitric content. Mott–Schottky analysis revealed that passive films behave as p-type and n-type semiconductors at potentials below and above the flat band potential, respectively. Also, Mott–Schottky analysis indicated that the donor and acceptor densities increased with solution concentration. EIS data showed that the equivalent circuit Rs((RctQdl)(RfQf)) by two time constants is applicable. Also, EIS results reveal that the charge transfer resistance and passive film resistance decrease with solution concentration. تفاصيل المقالة
      • حرية الوصول المقاله

        17 - Relativistic Modification of the Exciton’s mass in Monolayer TMDCs Materials
        Arezu Jahanshir
        The study of the exotic bound states in atomically thin semiconductors with a transition metal atom has attracted a great deal of interest in quantum field theory. The reality of transition metal dichalcogenide monolayer materials has been the subject of intense concern أکثر
        The study of the exotic bound states in atomically thin semiconductors with a transition metal atom has attracted a great deal of interest in quantum field theory. The reality of transition metal dichalcogenide monolayer materials has been the subject of intense concern among theoreticians and experimenters in recent years. To obtain transition metal dichalcogenide monolayer materials with specific properties; it is extremely important to develop particular strategies to obtain specific exotic structures. These exotic structures are considered to be in a two-particle/quasiparticle bound state: exciton and biexciton (exciton-exciton), exciton-polariton, polariton-phonon. Quantum field theory, in its widest sense, is a method to control and achieve reasonable goals. Control of such states enables the control of properties and access to a range of quantum properties, otherwise inaccessible. The relativistic mass spectrum and relativistic constituent mass of particles in monolayer transition metal dichalcogenide monolayer materials have been calculated using the relativistic Schrödinger equation with strong Coulomb-type potential between the electron and hole. The ground state of the transition metal dichalcogenide monolayer has been studied. Therefore, the investigation may indicate promising applications in quantum information processing and electronic device technologies based on the semiconductor quantum dots system. تفاصيل المقالة
      • حرية الوصول المقاله

        18 - Recent Progress in Visible-Light Active (VLA) TiO2 Nano-Structures for Enhanced Photocatalytic Activity (PCA) and Antibacterial Properties: A Review
        Kasun Seneviratne Imalka Munaweera Sriyani Peiris Colin Peiris Nilwala Kottegoda
        The applications of photocatalytic nanomaterial technology received intense scientific focus with the advent of nanotechnology. Applications based on TiO2 nanoparticles have shown promise of photocatalytic efficiency among many semiconductor metal oxides. Titanium dioxi أکثر
        The applications of photocatalytic nanomaterial technology received intense scientific focus with the advent of nanotechnology. Applications based on TiO2 nanoparticles have shown promise of photocatalytic efficiency among many semiconductor metal oxides. Titanium dioxide is utilized in many practical applications such as water and air purification, self-cleaning of surfaces, and energy production. The major drawback with TiO2 based photocatalysts is the wide band gap, which requires UV light to produce the electron-hole pairs. This review article focus on techniques/methods to eliminate band gap which reduces photocatalytic efficiency. Application of semiconductor photocatalytic techniques to degrade organic pollutants and their antimicrobial activity is discussed here using model systems. Synthetic and natural nanohybrids are available today and have varying characteristics as options. Recently developed natural mineral based nanohybrids is the new trend in photocatalytic applications. It appears that the removal efficiency of existed photocatalysts is higher than that of synthetic products. Natural nanohybrids carry the advantages of low costs, avoiding extensive synthesizing conditions in future photocatalytic applications. تفاصيل المقالة
      • حرية الوصول المقاله

        19 - بررسی ویژگی مغناطیسی و فتوکاتالیستی نانوذره‌های Fe3O4 پس از پوشش‌دهی با ZnO و TiO2
        سولماز قنبرنژاد علی نعمتی سعید باغشاهی محبوبه محمودی
        در این پژوهش، پس از پوشش‌دهی نانوذره‌های مگنتیت با ZnO و TiO2 به روش سل/ژل سعی شد تا تشکیل ساختار و ویژگی مغناطیسی نانوذره‌های هسته/پوسته دو جزیی و سه جزیی با روش پراش پرتو ایکس (XRD)، میکروسکوپ الکترونی عبوری (TEM) و مغناطیس‌سنج ارتعاشی (VSM) بررسی شد. رفتار فتوکاتالیس أکثر
        در این پژوهش، پس از پوشش‌دهی نانوذره‌های مگنتیت با ZnO و TiO2 به روش سل/ژل سعی شد تا تشکیل ساختار و ویژگی مغناطیسی نانوذره‌های هسته/پوسته دو جزیی و سه جزیی با روش پراش پرتو ایکس (XRD)، میکروسکوپ الکترونی عبوری (TEM) و مغناطیس‌سنج ارتعاشی (VSM) بررسی شد. رفتار فتوکاتالیستی در تخریب متیلن به لو در گستره صفر تا 120 دقیقه تحت تابش نور خورشید با طیف‌سنج مرئی/فرابنفش ثبت شد. تغییرات با استفاده از طیف فتولامینسانس (PL) و سطح ویژه به‌دست آمده با دستگاه جذب/واجذب نیتروژن (BET) بررسی شد. نتایج به‌دست آمده نشان داد کهmg/ml 10 نانوذره‌های هسته/پوسته بیش از 90 % از مولکول‌های متیلن به لو را در مدت زمان 120 دقیقه تحت تابش نور خورشید تخریب کرده‌اند. اما افزایش تعداد پوسته‌ها سبب تغییر نوع نیم‌رسانا از نوع مستقیم به غیرمستقیم می‌شود که به دنبال آن فصل مشترک ناهمگن رفتار فتوکاتالیستی را تضعیف می‌کند. تفاصيل المقالة
      • حرية الوصول المقاله

        20 - A Deep Survey upon the Synthesis of AuS Nanostructures
        Kourosh  Motevalli Zahra Yaghoubi
        In this research, the dendritic gold(I) sulfide nanostructures were successfully synthesized by a simple hydrothermal route. The effect of temperature , and reaction time, on the morphology and particle dimension was alsoinvestigated. Thus, the efficiency of synth أکثر
        In this research, the dendritic gold(I) sulfide nanostructures were successfully synthesized by a simple hydrothermal route. The effect of temperature , and reaction time, on the morphology and particle dimension was alsoinvestigated. Thus, the efficiency of synthesized gold sulfide nanostructures in thin-film solar cells was evaluated. The results indicated very well that the particle dimension and morphology have effect on solar cells efficiency and dendritic gold sulfide nano-structures have higher efficiency compared to sphericaland rod-like gold sulfide nanostructures. Moreover, depositing of dendritic gold sulfide upon gold sulfide nanoparticles led to obtaining 3.28% cell efficiency that in comparison with sole dendritic nanostructures and sole nanoparticles (1.89%), efficiency improvements of 48 and 85% were, respectively,obtained and also this important point must be elucidated that this nanostructures are useful for mechanical usages especially in manufacturing some linked rings in water treatment installations. Also, if we want to be decided for comparing with similar works presented for gold sulfide preparation [1–10],then, this fact will be illuminated easily that we synthesized dendritic gold sulfide nano-structures using new initiating reagents and without using surfactants by an easy route which can be more able in solar cells. تفاصيل المقالة

سند

Sanad is a platform for managing Azad University publications

الروابط

المراكز ذات الصلة

دعامة

الصفحات الرسمية

حقوق هذا الموقع الإلكتروني مملوكة لنظام SANAD Press Management. © 1442-1446

الصفحة الرئيسية| دخول| معلومات عنا| اتصل بنا|
[English] [فارسی] [en] [fa]