فهرس المقالات Gallium Nitride

• حرية الوصول المقاله
  • صفحة الملخص
  • نص كامل
  
  1 - Transistors based on gallium nitride (GaN), growth techniques, and nanostructures
  Hamidreza Ravanbakhsh Leila Shekari
  10.30495/jtap.162236
  Gallium nitride(GaN) is a material with a wide and straight band gap of 3.39eV. This semiconductor has the crystal structure of Wurtzite as one of the most stable phases of matter in environmental conditions. This material and its alloys have a low intrinsic charge carr أکثر

  Gallium nitride(GaN) is a material with a wide and straight band gap of 3.39eV. This semiconductor has the crystal structure of Wurtzite as one of the most stable phases of matter in environmental conditions. This material and its alloys have a low intrinsic charge carrier density due to their wide band gap, but on the other hand, they have significant charge transfer properties. These include high electron mobility of about 1300cm2/Vs and usability in high-temperature applications due to its very high thermal conductivity. They also have a saturation velocity of about 2.5*107cm/S and a high breakdown electric field of about 3.5MV/cm compared to 0.3MV/cm for silicon. This paper discussed about the most important GaN crystal growth methods, such as Ammonothermal, Hydride Vapor Phase Epitaxy(HVPE), Sodium flux(Na-flux), Metal-Organic Chemical Vapor Deposition(MOCVD) and Molecular Beam Epitaxy(MBE). Each of these methods has its own advantages and drawbacks and is used in research and industrial fields. MOCVD and MBE techniques are more widely used than other techniques, and due to larger throughput and larger wafer size, MOCVD, is widely used in industrial applications. According to the articles, which were discussed in this paper, countries such as the United States, Japan, and Germany, among other countries, have focused more on these two methods. The most common nanostructures obtained from the studied methods are nanowires, quantum wells, quantum wires, quantum dots, and GaN nanoparticles. This paper mentioned that nanowires and quantum wells are the most widely used morphologies in the structure of GaN-based transistors. Over the past few years, countries such as the United States, South Korea, India, China, and Germany have focused more on the growth of widely used GaN nanostructures. تفاصيل المقالة
• حرية الوصول المقاله
  • صفحة الملخص
  • نص كامل
  
  2 - طراحی تقویت کننده یک طبقه توان بالا و فرکانس بالا در کلاس F با دو ترانزیستور موازیGaN برای کاربردهای 2.5GHz
  باقر ذبیحی پیمان علیپرست ناصر نصیرزاده
  10.30495/jce.2022.690399
  در این مقاله یک تقویت‌کننده توان فرکانس بالا در کلاس F مبتنی بر تکنولوژی مدار مجتمع مایکروویو یکپارچه(MMIC)طراحی شده است. برای این طرح از پروسه گالیم نیترات با قابلیت تحرک الکترون بالا با فناوری طول گیت 150 نانومتر استفاده شده است. فرکانس مرکزی تقویت‌کننده 2/5 گیگا هرتز أکثر

  در این مقاله یک تقویت‌کننده توان فرکانس بالا در کلاس F مبتنی بر تکنولوژی مدار مجتمع مایکروویو یکپارچه(MMIC)طراحی شده است. برای این طرح از پروسه گالیم نیترات با قابلیت تحرک الکترون بالا با فناوری طول گیت 150 نانومتر استفاده شده است. فرکانس مرکزی تقویت‌کننده 2/5 گیگا هرتز است. بیشترین گین توان تقویت‌کننده مورد نظر تقریبا برابر با dB12/76 است و در یک طبقه طراحی شده است. در فرکانس مورد نظر بیشترین توان خروجی تقویت کننده توان حدود dBm39/196 در توان ورودی dBm30 است. در بیشترین توان خروجی ، PAE حدود 41/25% است که بیشترین مقدار خود را دارد. مساحت نهایی مدار برای جاسازی بر روی تراشه 25/903 میلیمتر در19/346 میلیمتر است. بیشترین مقدارAM/PM و AM/AM به ترتیب برابر dB/deg2/38 و dB/dB1/66 است. برای تقویت‌کننده اعوجاج تداخلی هارمونیک سوم (IMD3) حدود dBc-20 در فرکانس مرکزی است. برای طراحی این تقویت‌کننده از تحلیل Loadpull نرم افزار ADS برای بدست آوردن توان خروجی مناسب استفاده شده است. تفاصيل المقالة
• حرية الوصول المقاله
  • صفحة الملخص
  • نص كامل
  
  3 - Design and simulation of a fast SAW waveguide with Comsol software
  Hadi Amos Majid Ghandchi
  In this paper, the structure of SAW has been studied. In previous work in SAW, materials such as lithium niobium, lithium tantalite and gallium nitride were used in the structure of SAW, and thus had a low operating frequency and the highest reported operating frequency أکثر

  In this paper, the structure of SAW has been studied. In previous work in SAW, materials such as lithium niobium, lithium tantalite and gallium nitride were used in the structure of SAW, and thus had a low operating frequency and the highest reported operating frequency was about 4 GHz. In this paper, aluminum nitride and gallium nitride in the SAW structure are used in combination. The electrodes used in the structure are also made of aluminum. Comsol software was used to simulate the structure, and for the structure, the operating frequency was 7.02 GHz.and this wave guide by this design have a better performance of another structures تفاصيل المقالة