فهرس المقالات نانوالیاف SiC

• حرية الوصول المقاله
  • صفحة الملخص
  • نص كامل
  
  1 - سنتز نانوالیاف SiC به صورت درجا به منظور افزایش مقاومت به اکسیداسیون گرافیت
  جلیل پوراسد ناصر احسانی
  در این تحقیق از مزایای فناوری نانو برای بهبود مقاومت به اکسیداسیون گرافیت استفاده شده است. پوشش اولیه به روش سمانتاسیون بسته‌ای و پوشش ثانویه به روش روکش دوغابی در دمای °C 1600 و زمان 2 ساعت، بر گرافیت اعمال شده و آزمون اکسیداسیون نمونه‌ها در دمای °C 1500 انجام أکثر

  در این تحقیق از مزایای فناوری نانو برای بهبود مقاومت به اکسیداسیون گرافیت استفاده شده است. پوشش اولیه به روش سمانتاسیون بسته‌ای و پوشش ثانویه به روش روکش دوغابی در دمای °C 1600 و زمان 2 ساعت، بر گرافیت اعمال شده و آزمون اکسیداسیون نمونه‌ها در دمای °C 1500 انجام گرفت. شناسایی فازی پوشش‌ها در حالت قبل و بعد از اکسیداسیون، با دستگاه پراش اشعه ایکس (XRD) انجام شد و از میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM) برای بررسی ریزساختار پوشش‌ها استفاده شده و نرم‌افزار HSC Chemistry برای محاسبات ترمودینامیکی نظیر تغییرات انرژی آزاد گیبس واکنش‌ها بکار رفت. نتایج نشان داد که روش سمانتاسیون بسته‌‌ای منجر به تشکیل پوشش متراکم و تدریجی با فاز غالب β-SiC می‌شود. همچنین نانوالیاف SiC با ابعاد حدود nm 70-50 به صورت درجا تشکیل شد که تاثیر بسزایی در مقاومت به اکسیداسیون پوشش‌ها دارند، به طوری که با اکسید کامل گرافیت در یک ساعت اول، کاهش وزن نمونه حاوی نانوالیاف SiC پس از 10 ساعت تنها 6 درصد بود. تفاصيل المقالة