رابطه جدید محاسبه مقاومت بدنه درترانزیستورهای MOSFET PD SOI در مقیاس نانومتر
الموضوعات :
آرش دقیقی
1
(استادیار /دانشگاه شهرکرد)
اعظم عسکری‌خشویی
2
(کارشناسی ارشد /مرکز آموزش عالی علمی کاربردی تیران و کرون)
الکلمات المفتاحية: PSP SOI, PD SOI, مقاومت بدنه, پتانسیل بدنه, نانومتر,
ملخص المقالة :
در این مقاله یک مدل جدید غیرخطی برای بهبود محاسبه مقاومت بدنه ترانزیستورهای PD SOI در مقیاس 45 نانومتر ارائه می‌گردد. این مدل بر پایه شبیه‌سازی‌های سه بعدی سیگنال کوچک ارزیابی می‌شود. در این مقاله فاکتورهای مشخص‌کننده مقاومت بدنه در ترانزیستورهای نانومتر، با استفاده از قابلیت شبیه‌سازی سه بعدی نرم‌افزار ISE-TCAD نشان داده می‌شود و سپس با استفاده از مدل پتانسیل سطح، رابطه‌ای ریاضی برای محاسبه مقاومت بدنه بر حسب متغییرهای پتانسیل بدنه و عرض افزاره، بیان می‌گردد. در نهایت نتایج شبیه‌سازی سه بعدی نرم‌افزاری و رابطه ریاضی به دست آمده با آخرین نتایج به دست آمده مورد مقایسه قرار می‌گیرد. مقایسه نتایج، بهبود رابطه ریاضی ارائه شده را نشان می‌دهد.
_||_
