طراحی وشبیه سازی تقویت کننده کم نویز (LNA) کاملاً مجتمع کم‌توان با تکنولوژی0.18 µm CMOS در فرکانس‌های 9/1 و 9/0 گیگا هرتز

الموضوعات :

ابراهیم عبیری جهرمی ¹ (دانشگاه صنعتی شیراز)
رضیه سلطانی سروستانی ² (دانشگاه آزاد اسلامی واحد بوشهر ، بوشهر، ایران)

تاريخ الإرسال : 15 الثلاثاء , رمضان, 1442 تاريخ التأكيد : 15 الثلاثاء , رمضان, 1442 تاريخ الإصدار : 15 الإثنين , جمادى الأولى, 1440

الکلمات المفتاحية: دژنراسیون سلفی, عدد نویز, نقطه برخورد مرتبه سوم (IIP3), SELF DEGENERATION, NOISE NUMBER, THIRD ORDER POINT OF MEALING (IIP3),

ملخص المقالة :

دو پارامتر مهم که در طراحی تقویت کننده کم نویز( LNA) باید به آن توجه کرد توان مصرفی پائین و عدد نویز کم می‌باشد. از مشکلات دیگر طراحی می‌توان به چگونگی ایجاد مقاومت 50 اهم پایدار در ورودی برای تطبیق امپدانس و هم زمان بالا بردن بهره نام برد. همچنین نحوه خطی سازی در محدوده وسیعی از فرکانس کاری، از مسائل مهمی است که باید به آن توجه کرد. با استفاده از ساختار دژنراسیون سلفی در پروسه 0.18 µm CMOS خواسته های مورد نظر تأمین می شود. مدار پیشنهادی در این مقاله، عدد نویز کمتر از 2.5db و توان مصرفی کمتر از 4mw را در فرکانس 9/1 و عدد نویز کمتر از 0.7db و توان مصرفی کمتر از 0.9mwرا در فرکانس 9/0 گیگاهرتز، تطبیق امپدانس ورودی و خروجی 50 اهم و خطی سازی مناسب در هر دو فرکانس را نتیجه می دهد.