پوشش نانو سیمهای اکسید روی بر روی الکترود آرایه های درهمتنیده طلا و بررسی عملکرد نانو حسگر گازهای الکلی
الموضوعات :حمید غیور 1 , امین نکوبین 2 , امیرعباس نوربخش 3
1 - هیات علمی
2 - دانشگاه ازاد اسلامی نجف اباد
3 - دانشگاه ازاد اسلامی شهرضا
الکلمات المفتاحية: حسگر گازی, نانومیله های اکسید روی, رشد هیدروترمال,
ملخص المقالة :
الکترود آرایههای درهمتنیده با استفاده از نانولیتوگرافی طلا بر روی بستر آلومینایی با روش PVD ساخته شد.از نانو میله اکسید روی به عنوان ماده حسگر استفاده شده که به روش هیدروترمال بر روی بذر لایه ای از اکسید روی سنتز شد. نانومیلههای سنتز شده با استفاده از تفرق پرتو ایکس(XRD)، میکروسکوپ الکترونی عبوری با تفکیک بالا(HR-TEM) ، میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM) و میکروسکوپ نیروی اتمی (AFM)مشخصه یابی گردید. عملکرد حسگری برای چهار گاز الکلی بررسی شد.به منظور بهینه کردن شرایط حسگری حساسیت و پاسخ نانومیله های اکسید روی در گستره دمایی 50 تا 300 درجه سانتیگراد بررسی شد. دمای کاری 47 درجه ساتیگراد به عنوان دمای بهینه انتخاب گردید و متغیرهای مهمی همچون حساسیت حسگر،زمان پاسخ دهی و زمان بازیابی برای چهار گاز در دمای ثابت و برای غلظتهای مختلف به دست آمد. نتایج حاصل نشان داد که با استفاده از نانومیله های همراستای اکسید روی؛ گازهای الکلی در دمای پایین با حساسیت بالا قابل تشخیص هستند.
[1] S. Ju, K. Lee & D. B. Janes, “Low operating voltage single ZnO nanowire field-effect transistors enabled by self-assembled organic gate nanodielectrics”, Nano Lett, Vol. 11, pp. 2281-2286, 2005.
[2] J. Goldberger, D. J. Sirbuly, M. Law & P. Yang, “ZnO nanowire Transistors”, J. Phys. Chem. B, Vol. 1, pp. 9-14, 2005.
[3] W. Heo, L. C. Tien & Y. Kwon, “Depletion-mode ZnO nanowire field-effect transistor”, Appl. Phys. Lett, Vol. 12, pp. 2274-2276, 2004.
[4] H. T.Ng & J. Han, “Single crystal nanowire vertical surround-gate field-effect transistor”, Nano Lett. Vol. 7, pp. 1274-1252, 2004.
[5] K. Keem & D. Y. Jeong, “Fabrication and device characterization of omegashaped-gate ZnO nanowire field-effect transistors”, Nano Lett. Vol. 7, pp. 1454-1458, 2006.
[6] G. Z.Shen, “Devices and chemical sensing applications of metal oxide nanowires”, J. Mater. Chem, Vol. 19, pp. 828-839, 2009.
[7] S Ju, “Fabrication of fully transparent nanowire transistors for transparent and flexible electronics”, Nat. Nanotech, Vol. 2, pp. 378-384, 2007.
[8] P. Chen, “High-performance single crystalline arsenic-doped indium oxide nanowires for transparent thin-film transistors and active matrix organic light-emitting diode display”, ACS Nano, Vol. 11, pp. 3383-3390, 2009.
[9] F. Zhang, “High-performance, fully transparent, and flexible zincdoped indium oxide nanowire transistors”, Appl. Phys. Lett, Vol. 12, pp. 103-123, 2009.
[10] Q. Wan, “Doping-Dependent Electrical Characteristics of SnO2 Nanowires”, small, Vol. 4, pp. 451–454, 2008.
[11] Q. Wan, “Fabrication and ethanol sensing characteristics of ZnO nanowire gas sensors”, Appl. Phys. Lett, Vol.18, pp. 3654-3656, 2004.
[12] Z. Fan & G. Lu, “Chemical sensing with ZnO nanowire field-effect transistor”, IEEE Trans. Nanotech, Vol. 4, pp. 393-396, 2006.
[13] J. Son, “Synthesis of horizontally aligned ZnO nanowires localized at terrace edges and application for high sensitivity gas sensor”, Appl. Phys. Lett, Vol. 5, pp. 053109, 2008.
[14] D. Zhang, “Detection of NO2 down to ppb levels using individual and multiple In2O3 nanowire devices”, Nano Lett, Vol. 10, pp. 1919-1924, 2004.
[15] Z. Zang, “Tailoring Zinc oxide nanowires for high performance amperometric glucose sensor”, Electroanalisis, Vol. 9, pp. 1008-1014, 2007.
[16] J. Zhou, “Flexiblepiezotronic strain sensor, Nano Lett”, Vol. 9, pp. 3035-3040, 2008.
[17] Q. Wan & J. Huang, “Branched SnO2 nanowires on metallic nanowire backbones for ethanol sensors application”, Appl. Phys. Lett, Vol. 10, pp. 102101, 2008.
[18] Q. Kuang & C. Lao, “High-sensitivity humidity sensor based on a single SnO2 nanowire”, J. Am. Chem. Soc, Vol. 19, pp. 6070 - 6071, 2007.
[19] P. H. Yeh, Z. Li, & Z. L. Wang, “Schottky-gated probe-free ZnO nanowire biosensor ”, Adv. Mater, Vol. 21, pp. 4975-4978, 2009.
[20] S. N. Das, K. J. Moon, J. P.Kar, J. H. Choi, J. Xiong, , T. I. Lee, & J. M. Myoung, “ZnO single nanowire-based UV detectors”, Appl. Phys. Lett, Vol. 97, pp. 022103, 2010.