بررسی فعالیت سطحی و تعین مقدار رسانایی پلی آنیلین عامل دار شده‌ی محلول در آب
الموضوعات :محمد شفیعی 1 , بهشته سهرابی 2 , افسانه ملاحسینی 3
1 - کارشناس ارشد شیمی فیزیک، دانشگاه علم و صنعت ایران، تهران، ایران
2 - استادیار شیمی فیزیک، دانشکده شیمی، دانشگاه علم و صنعت ایران، تهران، ایران
3 - استادیار شیمی تجزیه، دانشگاه علم و صنعت ایران، تهران، ایران
الکلمات المفتاحية: پلی‌آنیلین, پلی‌آنیلین محلول در آب, سنتز, فعالیت سطحی,
ملخص المقالة :
پلی‌آنیلین محلول در آب به وسیله‌ی سولفون‌دار کردن پلی‌آنیلین با یون‌های با بار مخالف متفاوت سنتز می‌شود. در این مقاله نمک امرا‌ل‌دین با یون با بار مخالف -Cl با استفاده از کلرو سولفونیک اسید به پلیمر عامل‌دار شده‌ی محلول در آب تبدیل می‌شود.. در این مقاله ابتدا به روش سنتز این پلیمر و شناسایی آن پرداخته می‌شود و سپس فعالیت سطحی این پلیمر مورد بررسی قرار می‌گیرد. سپس با استفاده از طیف‌بینی بازتاب انتشار به بررسی مقدار رسانایی این پلیمر پرداخته می‌شود.
[1] MacDiarmid, A.G.; Chiang, J.C.; Halpern, M.; Huang, W.S.; Mu, S.L.; Somasiri, N.L.D.; Wu, W.; Yaniger, S.I.; Mol. Cryst. Liq. Cryst., 121, 173, 1985.
[2] MacDiarmid, A.G.; Chiang, J.C.; Synth. Met., 13, 193, 1986.
[3] Cao, Y.; Andreatta, A.; Heeger, A.J.; Smith, P.; Polymer, 30, 2305, 1989.
[4] Cao, Y.; Smith, P.; Heeger, A.J.; Synth. Met., 48, 91, 1992.
[5] Chevalier, J.W.; Bergeron, J.Y.; Dao, L.H.; Macromolecules, 25, 3325, 1992.
[6] Abe, M.; Ohtani, A.; Umemoto, Y.; Akizuki, S.; Ezoe, M.; Higuchi, H.; Nakamoto, K.; Okuno, A.; Noda, Y.; J. Chem. Soc., Chem. Commun., 1736, 1989.
[7] Yue, J.; Epstein, A.J.; J. Am. Chem. Soc., 112, 2800, 1990.
[8] Yue, J.; Wang, Z.H.; Cromack, K.R.; Epstein, A.J.; MacDiarmid, A.G.; J. Am. Chem. Soc., 113, 2665, 1991.
[9] Chen, S.A.; Hwang, G.W.; J. Am. Chem. Soc., 116, 7939, 1994.
[10] Chen, S.A.; Hwang, G.W.; J. Am. Chem. Soc., 117, 10055, 1995.
[11] Chan, H.S.O.; Ho, P.K.H.; Ng, S.C.; Tan, B.T.G.; Tan, K.L.; J. Am. Chem. Soc., 117, 8517, 1995.
[12] Shimizu, S.; Saitoh, T.; Uzawa, M.; Yuasa, M.; Yano, K.; Maruyama, T.; Watanabe, K.; Synth. Met., 84-86, 1337, 1997.
[13] Lee, W.; Du, G.; Long, S.M.; Epstein, A.J.; Shimizu, S.; Saitoh, T.; Uzawa, M.; Synth. Met., 84-86, 807, 1997.
[14] Özgür, Ü.; et al., J. Appl. Phys., 98, 041301, 2005.
[15] Bagnall, D.M.; et al., Appl. Phys. Lett., 70, 2230, 1997.
[16] Aoki, T.; Hatanaka, Y.; Look, D.C.; Appl. Phys. Lett., 76, 3257, 2000.
[17] Boemare, C.; Monteiro, T.; Soares, M.J.; Guilherme, J.G.; Alves, E.; Physica B., 308–310, 985, 2001.
[18] Pal, U.; Samanta, D.; Ghorai, S.; Chaudhuri, A.K.; J. Appl. Phys., 74, 6368, 1993.
[19] Barton, D.G.; Shtein, M.; Wilson, R.D.; Soled, S.L.; Iglesia, E.; J. Phys. Chem. B., 103, 630, 1999.
[20] Kubelka, P.; Munk, F.; Z. Tech. Phys. 12, 593, 1931.
