مطالعه نظری ساختار و ویژگی‌های الکترونیکی روتیل تیتانیم دی اکسید برای بهبود کارایی سلول‌های خورشیدی
محورهای موضوعی : شیمی تجزیه
پروین صالحی ابر
1
(
کارشناس ارشد شیمی فیزیک، دانشکده شیمی، دانشگاه علم و صنعت ایران، تهران، ایران
)
سید مجید هاشمیان زاده
2
(
دانشیار شیمی فیزیک، آزمایشگاه شبیه‌سازی و تحقیقاتی، دانشکده شیمی، دانشگاه علم و صنعت ایران، تهران، ایران
)
سید وحید موسوی
3
(
کارشناس ارشد شیمی فیزیک، دانشکده شیمی، دانشگاه علم و صنعت ایران، تهران، ایران
)
کلید واژه: سلول‌های خورشیدی, نقطه‌ی کوانتومی, بازترکیب, شکاف انرژی, چگالی حالت‌ها,
چکیده مقاله :
باتوجه به ماهیت فرایند فوتو ولتائیک در سلول‌های خورشیدی، مواد جاذب نور تنها سطح انرژی خاصی از فوتون را جذب می‌کنند. بنابراین، تنظیم شکاف انرژی نیم رساناها در سلول‌های خورشیدی حائز اهمیت است. در این مقاله ساختار و ویژگی‌های الکترونیکی نقطه‌ی کوانتومی تیتانیم دی اکسید به عنوان تابعی از اندازه برای بهبود بازده سلول‌های خورشیدی با استفاده از روش آغازی بررسی شده است و از سوی دیگر ویژگی‌های ساختاری از جمله انرژی کل و ویژگی‌های الکترونیکی از جمله چگالی حالت‌ها و چگالی لومو و هومو مورد بررسی قرار گرفته است.
[1] Hagfeldt, A.; Boschloo, G.; Sun, L.; Kloo, L.; Pettersson, H.; Chem. Rev., 110, 6595–6663, 2010.
[2] Schaller, R.; et al; Nano Lett., 6(3), 424-429, 2006,.
[3] Xin, X.; “Dye- and quantum dot-sensitized solar cells based on nanostructured wide-bandgap semiconductors via an integrated experimental and modeling study”, Doctor Dissertation, Dep of Materials Science and Engineering, Iowa State University, 2012.
[4] Nozik, A.J.; Inorganic Chemistry, 44(20), 6893, 2005.
[5] Peng, H.; Li, J.; J. Phys. Chem. C., 112, 20241–20245, 2008.
[6] http://www.quantum-espresso.org
[7] http://rruff.geo.edu.arizona.edu/AMS/result.php?result=rutile
[8] Peng, H.; Li, J.; Li, S.; Bai-Xia, J.; J. Phys. Chem. C., 112, 13964–13969, 2008.
[9] Li, J.; Wang, L.W.; Phys. ReV. B., 72, 125325, 2005.
[10] Dilli, Z.; ENEE 313, Spr. 09, 2009.
[11] Kittel, C.; Introduction to Solid State Physics 8Th Ed, Wiley, 2005.
[12] Sahoo a, S.K.; Pal a, S.; Sarkar, P.; Majumder, C.; Chemical Physics Letters, 516, 68–71, 2011.