• صفحه اصلی
  • بهبود طراحی جمع کننده با استفاده از ترانزیستورهایFinFET

اشتراک گذاری

آدرس مقاله


کد مقاله : 140310211196109 بازدید : 5 صفحه: -

نوع مقاله: پژوهشی

بهبود طراحی جمع کننده با استفاده از ترانزیستورهایFinFET

محورهای موضوعی : مجله فناوری اطلاعات در طراحی مهندسی

علی اصغر تاج آبادی 1 * , مهدیه اسلامی 2 , مهدی جعفری شهباز زاده 3

1 - دانشگاه آزاد اسلامی واحد کرمان
2 - دانشگاه آزاد اسلامی واحد کرمان
3 - دانشگاه آزاد اسلامی واحد کرمان

تاریخ دریافت : 1403/10/21 تاریخ پذیرش : 1403/11/27 تاریخ انتشار : 1404/03/31

کلید واژه: تمام جمع کننده, فین فت, جریان نشتی, توان مصرفی, تاخیر مدار,

چکیده مقاله :

یکی از بلوک های پرکاربرد در محاسبات کامپیوتری جمع کننده ها هستند و به عنوان بخش عمده ای از پردازنده، برای محاسبه آدرس رجیسترها و سایرعملیات های حسابی عمل می کنند. سرعت جمع کننده تعیین می کند که پردازنده چقدر سریع اجرا خواهد شد و طراحان در حال حاضر بیشتر بر روی سرعت بالا و توان مصرفی پایین متمرکز شده­اند­. امروزه با کاهش مقیاس قطعات الکترونیکی در تکنولوژی ساخت، به منظورافزایش تراکم ترانزیستورها در یک تراشه، مشکلاتی مانند اثرات کانال کوتاه، تونل زنی گیت و...­ پدیدار می شوند که این مشکلات کارایی قطعه را کاهش می دهند. جهت کاهش این اثرات، یکی از ساختارهایی که در تکنولوژی های ساخت بسیار مورد توجه قرار گرفته است،­ فین فت می باشد که با ایجاد کنترل الکترواستاتیک بهتر بر روی کانال این اثرات را به طورموثر کاهش و سرعت سوییچینگ قطعه را افزایش می دهد. در این پژوهش تمام جمع کننده جدیدی مبتنی برتکنولوژی فین فت ارائه شده است. این تمام جمع کننده با استفاده از دو نیم جمع کننده و10 ترانزیستور طراحی شده است. تمام جمع کننده جدید در نرم افزارHSPICE شبیه سازی شده است. نتایج شبیه سازی کاهش چشمگیر توان مصرفی و Power Delay Product را نشان می دهد.

چکیده انگلیسی:

One of the most commonly used blocks in computer calculations is adders, which serve as a major part of the processor to compute register addresses and other arithmetic operations. The speed of the adder determines how fast the processor will execute, and designers are currently more focused on high speed and low power consumption. Nowadays, with the reduction in the scale of electronic components in manufacturing technology, in order to increase the density of transistors on a chip, issues such as short-channel effects, gate tunneling, and so on arise, which reduce the performance of the component. To reduce these effects, one of the structures that has received significant attention in manufacturing technologies is the FinFET, which effectively reduces these effects and increases the switching speed of the device by providing better electrostatic control over the channel. In this research, a new adder based on FinFET technology has been designed. This full adder is designed using two half adders and 10 transistors. The new full adder has been simulated in the HSPICE software. The simulation results show a significant reduction in power consumption and Power Delay Product.

منابع و مأخذ:

[1] نیری and نیری, "طراحی و شبیه سازی مدار جمع کننده پنج ارزشی جدید مبتنی بر ترانزیستور نانو نوار گرافن," مدل سازی در مهندسی, vol. 18, no. 63, pp. 41-50, 2021.
[2] T.-J. King, "FinFETs for nanoscale CMOS digital integrated circuits," in ICCAD-2005. IEEE/ACM International Conference on Computer-Aided Design, 2005., 2005: IEEE, pp. 207-210.
[3] A. Venkatesan, P. Vanathi, and M. Elangovan, "Diode Connected Transistor-Based Low PDP Adiabatic Full Adder in 7 nm FINFET Technology for MIMO Applications," Journal of Circuits, Systems and Computers, vol. 32, no. 08, p. 2350134, 2023.
[4] A. Navaneetha and K. Bikshalu, "FinFET based Comparison analysis of power and delay of adder topologies," Materials Today: Proceedings, vol. 46, pp. 3723-3729, 2021.
[5] R. K. Maurya and B. Bhowmick, "Review of FinFET devices and perspective on circuit design challenges," Silicon, vol. 14, no. 11, pp. 5783-5791, 2022.
[6] N. Duraivel and B. Paulchamy, "Simulation and performance analysis of 15 Nm FinFET based carry skip adder," Computational Intelligence, vol. 37, no. 2, pp. 799-818, 2021.
[7] J. Battini and S. Kosaraju, "Design of efficient 22 nm, 20-FinFET full adder for low-power and high-speed arithmetic units," Silicon, vol. 15, no. 2, pp. 993-1002, 2023.
[8] R. Hajare and C. Lakshminarayana, "Design and software characterization of finfet based full adders," International Journal of Reconfigurable and Embedded Systems, vol. 8, no. 1, p. 51, 2019.
[9] S. Branch and I. Sardroud, "FinFET-based Full Adder using SDTSPC Logic with High Performance."
[10] M. V. Prasad and K. N. Kumar, "Low power FinFET based full adder design," International Journal of Advanced Research in Computer and Communication Engineering, vol. 6, no. 8, pp. 328-335, 2017.
[11] C. S. Pittala, V. Vijay, and B. N. K. Reddy, "1-Bit FinFET carry cells for low voltage high-speed digital signal processing applications," Silicon, vol. 15, no. 2, pp. 713-724, 2023.
[12] S. Singh and Y. B. Shukla, "Design and Analysis of Low Power FinFET-Based Hybrid Full Adders at 16 nm Technology Node," in Intelligent Sustainable Systems: Proceedings of ICISS 2022: Springer, 2022, pp. 631-641.
[13] C. Pittala and V. Vijay, "Design of 1-Bit FinFET sum circuit for computational applications," in International Conference on Emerging Applications of Information Technology, 2021: Springer, pp. 590-596.
[14] S. B. Mamaghani, M. H. Moaiyeri, and G. Jaberipur, "Design of an efficient fully nonvolatile and radiation-hardened majority-based magnetic full adder using FinFET/MTJ," Microelectronics Journal, vol. 103, p. 104864, 2020.
[15] U. Mushtaq, M. W. Akram, and D. Prasad, "Energy efficient and variability immune adder circuits using short gate FinFET INDEP technique at 10nm technology node," Australian Journal of Electrical and Electronics Engineering, vol. 20, no. 1, pp. 1-12, 2023.
[16] F. G. da Silva, R. N. Oliveira, A. L. Zimpeck, C. Meinhardt, and R. Reis, "Exploring XOR-based Full Adders and decoupling cells to variability mitigation at FinFET technology," Integration, vol. 87, pp. 137-146, 2022.
[17] S. Nagaraj, P. A. Prem, D. Srihari, and K. Gopi, "Design and Analysis of Half Adder and Full Adder Using GDI Logic," Journal of Pharmaceutical Negative Results, pp. 802-814, 2022.
[18] K. Apoorva, "Design and Analysis of Synthesizable RTL Verilog For Discrete Fourier Transformation Using FFT," Turkish Journal of Computer and Mathematics Education (TURCOMAT), vol. 12, no. 12, pp. 2372-2379, 2021.
[19] M. Alioto and G. Palumbo, "Analysis and comparison on full adder block in submicron technology," IEEE transactions on very large scale integration (VLSI) systems, vol. 10, no. 6, pp. 806-823, 2002.
[20] E. Napoli, E. Zacharelos, A. G. Strollo, and G. Di Meo, "Approximate Full-Adders: A Comprehensive Analysis," IEEE Access, 2024.
متن کامل:


img0 

دوره هجدهم، شماره بهار 1404

 

مجله فناوری اطلاعات در طراحی مهندسی

Information Technology in Engineering Design

http://sanad.iau.ir/journal/ited

بهبود طراحی جمع­کننده با استفاده از ترانزیستورهایFinFET

 

علی اصغر تاج آبادی*(1)     مهدیه اسلامی(2)    مهدی جعفری شهباززاده(3)    

 

(1)       گروه مهندسی برق، واحد کرمان، دانشگاه آزاد اسلامی، کرمان، ایران*

(2)       گروه مهندسی برق، واحد کرمان، دانشگاه آزاد اسلامی، کرمان، ایران

(3)       گروه مهندسی برق، واحد کرمان، دانشگاه آزاد اسلامی، کرمان، ایران

 

(تاریخ دریافت: 21/10/1403           تاریخ پذیرش: 27/11/1403)

 

چکیده

یکی از بلوک­های پرکاربرد در محاسبات کامپیوتری جمع­کننده­ها هستند و به عنوان بخش عمده­ای از پردازنده، برای محاسبه آدرس رجیسترها و سایرعملیات­های حسابی عمل می­کنند. سرعت جمع­کننده تعیین می­کند که پردازنده چقدر سریع اجرا خواهد شد و طراحان در حال حاضر بیشتر بر روی سرعت بالا و توان­مصرفی پایین متمرکز شده­اند. امروزه با کاهش مقیاس قطعات الکترونیکی در تکنولوژی ساخت، به منظورافزایش تراکم ترانزیستورها در یک تراشه، مشکلاتی مانند اثرات کانال کوتاه، تونل زنی گیت و... پدیدار می­شوند که این مشکلات کارایی قطعه را کاهش می­دهند. جهت کاهش این اثرات، یکی از ساختارهایی که در تکنولوژی­های ساخت بسیار مورد توجه قرار گرفته است، فین فت می­باشد که با ایجاد کنترل الکترواستاتیک بهتر بر روی کانال این اثرات را به طورموثر کاهش و سرعت سوییچینگ قطعه را افزایش می­دهد. در این پژوهش یک تمام جمع­کننده جدید مبتنی برتکنولوژی فین فت ارائه شده است. این تمام جمع­کننده با استفاده از دو نیم جمع­کننده و10 ترانزیستور طراحی شده است. تمام جمع­کننده جدید در نرم­افزار HSPICE شبیه­سازی شده است. نتایج شبیه­سازی کاهش چشمگیر توان مصرفی و Power Delay Product را نشان می­دهد.

کلمات کلیدی: تمام جمع­کننده، فین فت، جریان نشتی، توان­مصرفی، تاخیر مدار

*عهده‌دار مکاتبات:                 

علی اصغر تاج آبادی        

نشانی: گروه مهندسی برق، واحد کرمان، دانشگاه آزاد اسلامی، کرمان، ایران 

       پست الکترونیکی: aliasghar.tajabadi@iau.ac.ir

 

 

 

 

1-       مقدمه

با پیشرفت روزافزون صنایع الکترونیک و کاهش ابعاد ترانزیستورها، ترانزیستورهای ماسفت به علت برخی مسائل پیش آمده در فناوری­های جدید دیگر قابلیت کوچک شدن را ندارند و این عامل باعث بررسی امکان جایگزینی سیلیسیم شد [1]. لذا انقلابی در ساختار این ترانزیستورها برای پیشرفت فناوری ضروری بود. اگر چه کاهش ابعاد ترانزیستور ها ممکن است باعث بهبود کارایی آن و بهبود پارامترهای مهمی مانند سرعت عملکرد آن شود، اما محدودیت­هایی در فناوری فرایند ساخت آن­ها وجود دارد. تکنولوژی CMOS1 در فناوری زیر45 نانومتر با چالش­هایی مانند جریان نشتی و کاهش تغییر پذیری مواجه است. برای رفع این مشکلات می توان از تکنولوژی فین فت­ها استفاده کرد که در فناوری 20 نانومتر مشکلی ندارند و عملکرد قابل قبولی را ارائه می­دهند [2]. کاهش مقیاس ترانزیستورهای CMOS باعث بوجود آمدی مشکلاتی از جمله اثرات کانال کوتاه می­شود. راه حل مناسب استفاده از دستگاه­های دو گیتی یا چند گیتی مانند FinFETها می­باشد که اندازه و قابلیت مقیاس­پذیری خوبی دارند و به عنوان بهترین گزینه برای جایگزینی ترانزیستورهای CMOS هستند. در مرجع [3] برای مقایسه FinFET و CMOS از طراحی یک SRAM2 استفاده شده است. این حافظه­ها در واقع نسبت به چگالی ترانزیستورها حساس می­باشند که با به حداقل رساندن تعداد ترانزیستورها می­توان عملکرد این حافظه­ها را بهبود بخشید. نتایج طراحی نشان می­دهد که SRAM طراحی شده با FinFET تاخیر کمتری در عملیات نوشتن و خواندن در مقایسه با SRAM طراحی شده با CMOSها را دارد[3] . فین فت­ها به دلیل کنترل مناسب گیت برروی کانال، اثرات کانال کوتاه را کاهش داده و نیاز به تزریق ناخالصی به بدنه (کانال) را از بین می­برند. در واقع عامل ایجاد اثرات کانال کوتاه، میدان های الکتریکی جاری شونده ازدرین به سمت سورس می­باشند و شدت این اثرات هم از روی شدت میدان­های که به سمت سورس می­روند، اندازه­گیری می­شود. در ترانزیستورهای مسطح چون گیت از یک سمت با کانال ارتباط دارد، الکترود گیت چندان قادر به جذب این میدان­ها نخواهد بود. به همین دلیل با کاهش طول کانال مشخص است که این اثرات افزایش می­یابند و بدون استفاده از روشی متفاوت در ساخت ترانزیستور نمی­توان این اثرات را از بین برد. تنها کاری که در ترانزیستور مسطح می­توان برای کاهش این اثرات انجام داد، تزریق ناخالصی است. تزریق ناخالصی بسترعبورمیدان را از حالت یکنواخت به حالت غیریکنواخت تبدیل می­کند که باعث کاهش سرعت انتشار میدان و رسیدن خطوط میدان به سورس و نهایتاً کاهش اثرات کانال کوتاه می­شود. برای این کار محدودیت­های زیاد و تأثیرات جانبی خاصی وجود دارد که مانع تزریق بیش از حد زیاد ناخالصی در کانال می­شود. علاوه برساختارهای متداول و متقارن می­توان از ساختارهای ترانزیستوری نامتقارن نیز جهت افزایش بهره وری ترانزیستورهای فین فت استفاده کرد. طراحی مدار با تکنولوژی فین فت علاوه بر این که طراحی را دراندازه کوچک مقدور می­سازد، باعث می­شود تا با استفاده مناسب از قابلیت­های این تکنولوژی و ساختار آن، تاخیر در مدار را کم کند و سرعت آن را بالا ببرد و همچنین توان مصرفی را نیز به صورت چشمگیری کاهش دهد. حالت عملکردی فین فت­ها اغلب مشابه با ترانزیستورهای ماسفت مرسوم است و به طورمعمول یک سورس، یک درین و یک گیت برای کنترل جریان را دارند. در بین کانال سورس و درین فین فت یک نوار سه بعدی وجود دارد که این نوار اصطلاحاً Fin نامیده می­شود[4] . ساختار کلی فین فت­ها به دو صورت SOI FinFET3 و Bulk FinFET می­باشد. در نوع SOI FinFET فین یا باله به بستر سیلیکونی زیرین وصل نمی­باشد. در این حالت بین کانال سورس­درین و بستر سیلیکونی، یک لایه اکسید ضخیم قرار دارد که باعث ایزولاسیون قطعه در برابر نویز و عوامل محیطی می­شود. همچنین در صورتی که از آن­ها در مدارهای الکترونیکی استفاده شود حرارت تولیدی بسیار کمی در مدار ایجاد می­کنند. اما در نوع Bulk FinFET به دلیل این که فین به بستر سیلیکونی زیرین وصل می­باشد، ایزولاسیون آن نسبت به نوعSOI FinFET کمتر می­باشد و در مقابل نویز کمی حساس می­باشد. تفاوت این دو نوع ساختار در محاسبه اندازه فین نیز می­باشد که فقط در ساختار SOI FinFET می­توان اندازه فین را محاسبه کرد(به دلیل این که به بستر سیلیکونی وصل نمی­باشد)[5] . هر کدام از ساختارهای بالا را می­توان به روش­های مختلفی طراحی کرد که معروف­ترین آنها فین فت­های دوگیتی و سه گیتی هستند. تفاوت نوع دو گیتی و سه گیتی در احاطه­ی گیت برروی لایه اکسید کانال می­باشد. در واقع یک لایه نیتراید در بالای گیت قرار دارد که ارتباط آن با کانال را ایزوله می­کند و عملا بخش بالایی گیت بی­اثر می­شود. در نوع سه گیتی به دلیل کنترل بیشتر گیت روی کانال جریان بیشتری را در مقایسه با نوع دوگیتی انتقال می­دهد (در حالتی که VGS یکسان باشد)[6] . فین فت­ها به طورکلی در چهار حالت مورد استفاده قرار می­گیرند. در حالت SG-FinFET4 گیت­های ترانزیستور به هم وصل می­شوند و مثل ترانزیستورهای ماسفت عمل می­کنند که یک درین، یک سورس و یک گیت دارند. در این حالت می­توان دو ترانزیستور موازی ماسفت را با یک ترانزیستور فین فت پیاده­سازی کرد. درحالت IG-FinFET5 بخش بالایی گیت کاملا برداشته می­شود و گیت­های جلویی و پشتی عملاً از یکدیگر جدا و ایزوله می­شوند. در IG-FinFET به دلیل کنترل گیت در دوحالت مختلف، طراحان برای کنترل و برنامه­نویسی معمولا از این روش استفاده می­کنند[7] . ساختار LP-FinFET6 به گونه­ای طراحی می­شود که گیت پشتی ترانزیستور تمایل به افزایش ولتاژ بایاس معکوس و کاهش توان نشتی را دارد. در این حالت جریان گیت پشتی(IOFF) کاهش پیدا می­کند. حالت IG/LP-FinFET که حالت هیبریدی نیز شناخته می­شود و ترکیب دو حالت IG-FinFET و LP-FinFET  می­باشد. در این حالت به دلیل کم­مصرف بودن و مستقل بودن گیت­های فین فت عملکرد قابل قبولی را ارائه می­دهد. تغییرات در منبع ولتاژ نیز ممکن است برعملکرد ترانزیستور تاثیر بگذارد. مزیت اصلی طراحی IG/LP-FinFET نشتی جریان، مساحت و ظرفیت سوییچینگ کم می باشد[7] . با استفاده از فین فت­ها تمام جمع­کننده­های گوناگونی از قبیل: تمام جمع­کننده با تکنیک GDI7، تمام جمع­کننده با استفاده ازمنطق SDTSPC8، تمام جمع­کننده هیبریدی، تمام جمع­کننده مغناطیسی، تمام جمع کننده با تکنیک INDEP9 و... طراحی شده است. در مرجع [8] تمام جمع­کننده با استفاده از 20 ترانزیستور فین فت طراحی شده است. این تمام جمع­کننده سه ماژول دارد و از ترانزیستورهای عبور ساده نیز در طراحی آن استفاده شده است. به دلیل این که در طراحی مدار از فین فت استفاده شده است، اتلاف توان در گره­های تکنولوژی پایین و تأخیر ناشی ازانتشار ورودی به گره خروجی کاهش می­یابند. در مرجع [9] تمام جمع­کننده با استفاده از 28 ترانزیستور فین فت طراحی شده است. در طراحی آن از هردو نوع ترانزیستورnFET وpFET برای جایگزینی منطق CMOS استفاده شده است و ترانزیستورهای آن از نوع SG-FinFET می­باشند. در این مرجع نتایج نشان می­دهد که طراحی تمام جمع­کننده با استفاده از ترانزیستورهای فین فت عملکرد بهتری از نظر سرعت، توان و قابلیت اطمینان در مقایسه با ترانزیستورهای ماسفت دارند. سلول تمام جمع­کننده فین فت در گره­های با تکنولوژی پایین قابل اعتماد است و اتلاف توان در فین فت­ها به طور قابل توجهی در گره­های تکنولوژی پایین کاهش یافته است. سرعت مدارهای جمع کننده برحسب عمل جمع و تأخیر Carry، افزایش می­یابد. ازمقایسه نتایج شبیه­سازی می­توان نتیجه گرفت که فین فت­ها جایگزین بسیارمناسبی نسبت به ماسفت­ها در سیستم­های دیجیتال آینده هستند. مرجع [10] طراحی تمام جمع­کننده فین فت یک بیتی را با استفاده از منطق SDTSPC10 ارائه می­دهد. درمقایسه تمام جمع‌کننده فین فت با تمام جمع‌کننده ماسفت با استفاده ازمنطق SDTSPC، بهبود 75/95 درصدی در مصرف توان نشتی حاصل شده است. ایده مهم این طرح کاهش مصرف توان با قراردادن ترانزیستورها از مسیر ولتاژ تغذیه به زمین است. همچنین یک ترانزیستور متصل به دیود به صورت سری به Evaluation Transistor متصل می­شود تا نویز و مصرف توان را بهبود بخشد. برای این منظورتمام جمع­کننده SDTSPC را با استفاده از ترانزیستورهای فین فت پیاده سازی می­کنند و همه ی ترانزیستورهای ماسفت با ترانزیستورهای IG-FinFET جایگزین می­شوند. به دلیل این که دو ترانزیستورماسفت موازی با یک ترانزیستور فین فت دوگیتی جایگزین می­شود، تعداد ترانزیستورها در سلول تمام جمع­کننده کاهش می­یابد. در مرجع [11] تمام جمع­کننده با استفاده از تکنیک GDI11 طراحی شده است. تکنیک GDI هم تاخیر و هم توان تمام جمع­کننده را کاهش می­دهد. تمام جمع­کننده GDI FinFET از سه پایه ورودی و دو پایه خروجی تشکیل شده است. در طراحی آن از ترانزیستورهای SG-FinFET استفاده می­شود. در GDI FinFET مالتی پلکسر به عنوان ورودی قرار داده شده است تا بتواند Carry را تولید کند. در مرجع [12] سلول‌های Carry تمام جمع‌کننده فین فت یک بیتی با سرعت بالا و در ولتاژ پایین ارائه شده است. این سلول­ها برای کاربردهای حسابی چند بیتی مورد استفاده در معماری‌های پردازش سیگنال دیجیتال (DSP12) پیشنهاد شده‌ است. سلول‌های تمام جمع‌کننده بلوک‌های مهمی برای تولید نتایج حسابی مانند ضرب، تفریق و جمع هستند. هدف اصلی این کار کاهش تاخیر انتشار و اتلاف توان مدارتمام جمع­کننده در برنامه­های جمع­کننده چند بیتی است. به طور مشابه، مدارهایCarry این مرجع سطح کل تراشه را کاهش می‌دهند و برای انجام عملیات Carry به ترانزیستورهای کمی نیاز دارند. سلول Carry، گیت XOR و سلول SUM برای تولید عملیات تمام جمع­کننده استفاده می­شود. نتایج شبیه‌سازی نشان می‌دهد که مدارهای پیشنهادی در این مرجع PDP13 بهینه­تری نسبت به سایرتمام جمع­‌کننده‌های استاندارد دارد. در مرجع [13] چهار مدارتمام جمع­کننده مختلف با سلول جدید XOR-XNOR طراحی شده است. نتایج نشان می­دهد که HFA14 طراحی شده با ترانزیستور فین فت مصرف توان کمتری در مقایسه با HFA طراحی شده با ماسفت را دارد. طراحی مدارهای تمام جمع کننده­های هیبریدی شامل یک سلول XOR-XNOR و یک مالتی پلکسر می­باشد. سلول جدید XOR-XNOR توان کمتری مصرف می­کند و تأخیر کمتری دارد. در مرجع [14] تمام جمع­کننده فین فت یک بیتی مطابق با سه ماژول (ماژول XOR، ماژول SUM و ماژول Carry) طراحی شده است. همچنین یک ماژول SUM طراحی شده است که توان مصرفی پایینی را دارد. در مرجع [15] یک تمام جمع­کننده مغناطیسی ارائه شده است. این مدار براساس حداکثر گیت طراحی شده که در فرکانس­های بالا با مصرف توان کم کار کند. در مرجع [16] برای طراحی مدارهای جمع­کننده فین فت از تکنیک INDEP FinFET برای به حداقل رساندن اتلاف توان و بهبود PDP در مدارهای منطق دیجیتال استفاده شده است. روش INDEP در مقایسه با تکنیک LECTOR (ترانزیستور کنترل نشتی) برای گیت­های منطقی CMOS به عنوان بهترین تکنیک کاهش نشتی در سطح مدار ثابت شده است. تکنیک INDEP همچنین می­تواند برای طراحی مدارهای جمع­کننده فین فت در گره­های با تکنولوژی پایین نیزاستفاده شود. در مرجع [17] یک تمام جمع‌کننده‌ با گیت‌ منطقی XOR طراحی شده است. از 16 ترانزیستور برای طراحی آن استفاده شده است. استفاده از این تکنیک باعث کاهش مصرف توان مدار می­شود. همچنین در جدول 1 مقایسه­ای از تمام جمع­کننده­های مطالعه شده در پیشینه تحقیق ارائه شده است. در جدول زیر پارامترهای مهمی که در هر مرجع بهینه شده، مشخص شده است.

جدول1: مقایسه پارامترهای بهینه مدارها تمام جمع­کننده

مرجع

نوع

کاهش توان مصرفی

بهبود سرعت عملکرد

PDP

کاهش تاخیر مدار

[8]

Full Adder

ü 

 

 

 

[9]

Full Adder

ü 

ü 

 

 

[10]

Full Adder

ü 

 

 

 

[11]

Full Adder

ü 

 

 

ü 

[12]

Full Adder

 

 

ü 

 

[13]

Full Adder

ü 

 

 

 

[14]

1-Bit Full Adder

ü 

 

 

ü 

[15]

Full Adder

ü 

 

 

 

[16]

Full Adder

ü 

 

ü 

 

[17]

Full Adder

ü 

 

 

 

 

در تحقیقات قبلی محققین مشاهده کرده­اند که ادوات چند گیتی مانند فین فت مصونیت بهتری در برابر تغییرات دارند و فین فت­ها را می توان در گونه­های مختلف با توجه به ساختار چند گیتی آن مورد استفاده قرار داد. بزرگترین ویژگی مثبت فین فت­ها کنترل اثرات کانال کوتاه است که مانعی بزرگ در راه کاهش اندازه ترانزیستورها است. اثراتی مانند Subthreshold Swing،DIBL 15 اثراتی به نسبت مختل کننده در عملکرد مدار هستند. پدیده DIBL در واقع وابستگی سد پتانسیل پیش روی الکترون­ها نسبت به ولتاژ درین می­باشد که یکی ازاصلی ترین مشکلات در کاهش اندازه طول کانال است. پدیده Subthreshold Swing معیاری را درمورد سرعت تغییر وضعیت ترانزیستور از حالت روشن به خاموش و برعکس را نشان می­دهد و در صورتی که نتوان آن را کنترل کرد، درعملکرد مدار اختلال ایجاد می­کند. سایرویژگی های مثبت فین فت را می توان کنترل اثراتی مانند تغییرات کمتر ولتاژ آستانه، کاهش جریان نشتی و افزایش قابلیت حرکت الکترون­ها بیان کرد. این موضوع در کاهش مساحت و اتلاف توان(جدول1) در مدارات دیجیتال مفید خواهد بود. بسیاری از دستگاه­های الکترونیکی قابل حمل به عمرباتری طولانی­تر، سرعت بالا و ناحیه سیلیکونی کوچک نیاز دارند. توان موجود برای این دستگاه­های قابل حمل یا دستگاه­های الکترونیکی بسیارمحدود است و فناوری میکروالکترونیک سریع تراز فناوری­های پیشرفته رشد کرده است. با توجه به رشد سریع در فناوری VLSI16، طراحان IC17 مشغول ساخت سیستم­های با کارایی بالا و اتلاف توان کم هستند. مدارهای تمام جمع­کننده یک بیتی عمدتاً در عملیات حسابی اساسی مانند محاسبه آدرس، تفریق، ضرب، تقسیم و... استفاده می­شوند. این عملیات به طورگسترده در برنامه­های مختلف دیجیتال مانند ریزپردازنده­ها و معماری پردازش سیگنال دیجیتال استفاده می­شود. سرعت پردازنده به جمع­کننده­ها و ضرب­کننده­ها بستگی دارد که عاملی بسیار مهم در طراحی می­باشد. جمع­کننده مؤلفه اساسی در پیاده­سازی سخت افزارهای دستگاه­های نیمه هادی می­باشد. تغییرات در مدار جمع­کننده ممکن است باعث تغییر درعملکرد پردازنده شود. ترانزیستور فین فت شکلی ویژه از ماسفت­های با چند گیت است که با توجه به ویژگی­های فیزیکی خاص خود برای کاهش دادن اندازه­ی مقیاس ترانزیستور کمک شایانی خواهد کرد. طراحی مدار با تکنولوژی فین فت علاوه بر این که طراحی را دراندازه کوچک مقدور می­سازد، باعث می­شود تا با استفاده مناسب از قابلیت­های این تکنولوژی و ساختار آن، تاخیر در مدار را کم کند و سرعت آن را بالا ببرد و همچنین توان مصرفی را نیز به صورت چشمگیری کاهش دهد. این مقاله بر روی طراحی تمام جمع­کننده با استفاده از ترانزیستورهای فین فت تمرکز می­کند. در بخش دوم این مقاله مدار ساختار مدار تمام جمع­کننده پیشنهادی و در بخش سوم تجزیه و تحلیل عملکرد و نتایج شبیه­سازی تمام جمع­کننده پیشنهادی ارائه می­شوند. سپس در بخش چهارم مقاله نتیجه­گیری می­شود.

 

2-       روش و طرح پیشنهادی

2-1- طراحی تمام جمع­کننده با استفاده از دو نیم جمع­کننده

جمع­کننده­ها را می­توان به روش­های مختلفی پیاده­سازی کرد و از فناوری­های مختلف در سطوح مختلف معماری می­توان برای طراحی آن ها استفاده کرد. جمع­کننده­ها بر اساس معیارهای انتخاب مختلف طراحی می­شوند و در یک برنامه خاص مورد استفاده قرار می­گیرند. جمع­کننده­ها مهم­ترین قطعات سازنده هر ابزاردیجیتالی هستند. طراحی آسان، کارآمد و مؤثرجمع‌کننده‌ بسیار مهم است؛ زیرا با کاهش مقیاس فناوری، طراحی آن­ها سخت­تر می­شود و باعث کاهش عملکرد جمع‌کننده می‌شود. هنگام ساخت یک تمام جمع­کننده، معیارهای مهمی از جمله مصرف توان و تاخیر مدار در نظر گرفته می­شود. با افزایش نیاز به مدارهای مجتمع برای ابزارهای اندازه‌گیری دیجیتال، رایانه‌ها، تلفن‌های همراه و سایر برنامه‌ها، ویژگی توان مصرفی کم، اهمیت زیادی پیدا می‌کنند. عملیات محاسباتی جمع، متداول‌ترین روش محاسباتی مورد استفاده در ریزپردازنده‌ها و DSP18ها است و به طور کلی یکی از اجزای محدودکننده سرعت است. در نتیجه، بهینه­سازی جمع­کننده باید از نظر سرعت و مصرف توان مورد بررسی قرار گیرد.

مدار تمام جمع­کننده یک نوع مدار منطقی است که سه ورودی و دو خروجی دارد. ورودی­های مدار شامل دو بیت عددی (BوA) و یک بیت سهم جمع قبلی (Carry IN) می­باشند. خروجی مدار شامل دو بیت خروجی (SUMوCarry Out)  می­باشند. بیت SUM  جمع دو بیت A،B  و بیت Carry In می­باشد در حالی که بیت Carry Out سهم جمع بعدی را نشان می­دهد و در صورتی مقدار جمع از یک بیشتر شود به بیت بعدی یکی اضافه خواهد شد. تمام جمع­کننده­های سخت افزاری با گیت­های منطقی XOR، AND و OR ساخته می­شوند. تمام جمع­کننده­ها معمولاً برای اضافه کردن بیت به طول دلخواه مانند 32 یا 64 بیت متصل می­شوند. یک تمام جمع­کننده در اصل دو نیم جمع­کننده می­باشد که از یک گیت XOR  و یک گیت AND  در ورودی تشکیل شده است و توسط یک گیت OR به هم متصل می­شوند.

محدودیت اصلی Half Adder  که منجر به طراحی Full Adder  شد، بیت Carry  است. در Half Adder امکان استفاده از بیت  Cin وجود ندارد و این عامل اهمیت طراحی Full Adder ها را به وضوح نشان می­دهد. شکل 1 بلوک دیاگرام مدار تمام جمع­کننده را نشان می­دهد.

 

img0 

شکل1:  بلوک دیاگرام تمام جمع­کننده [18]

 

در شکل 1 ورودی و خروجی مدار تمام جمع­کننده را نشان داده شده است. شکل 2 نمودار تمام جمع­کننده­ای را نشان می­دهد که از دو نیم جمع­کننده یکسان و یک گیت OR تشکیل شده است. در این تمام جمع­کننده خروجی مجموع نیم جمع­کننده A به ورودی به نیم جمع­کننده B وصل می­شود و  Carry نیم جمع­کننده اول به گیت ورودی OR داده می­شود. خروجی نیم جمع­کننده اول SUM را ارائه می­دهد و خروجی گیت OR نیز Cout را ارائه می­دهد. 

 

img0 

شکل2: ساختار تمام جمع­کننده تشکیل شده ازدو نیم جمع­کننده [19]

 

از طریق رابطه­های 1و2 مقادیر خروجی تمام جمع­کننده محاسبه می­شود[20] .

 

 

(1)

 

از طریق رابطه 3 نیز می­توان مقدار Cout را محاسبه کرد:

 

(2)

 

 

جدول2: صحت عملکرد تمام جمع­کننده­ها [21]

 

(3)

 

 

صحت عملکرد مدار شکل 2 مطابق جدول 2 می­باشد.

 

 

 

 

 

 

 

Outputs

Inputs

SUM

Cout

Cin

B

A

0

0

0

0

0

1

0

1

0

0

1

0

0

1

0

0

1

1

1

0

1

0

0

0

1

0

1

1

0

1

0

1

0

1

1

1

1

1

1

1

 

 

 

 

 

 

در جدول 2 مقدار SUM از رابطه 1 بدست می­آید و برای محاسبه مقدار آن تمامی ورودی­های تابع باید XOR شوند. مقدار Cout که تابع Majority Function نیز نامیده می­شود از رابطه 2 یا 3 بدست می­آید.

 

2-2- تمام جمع­کننده پیشنهادی

در شکل 3 شماتیک تمام جمع­کننده پیشنهادی با فناوری فین فت نشان داده شده است. تمام جمع­کننده با استفاده از دو نیم جمع­کننده طراحی شده است و هر نیم جمع­کننده از 4 ترانزیستور تشکیل شده است. ترانزیستور­های P1, P2, N1, N2   نیم جمع­کننده اول را تشکیل می­دهند و ترانزیستورهای  P3, P4, N3, N4 نیم جمع­کننده دوم را تشکل می­دهند. خروجی نیم جمع­کننده­ها به ترانزیستورهایP5, N5   وصل شده است که نقش گیت OR برای محاسبه مقدار Carry Out را دارد. مقدار SUM از خروجی نیم جمع دوم بدست می­آید. برای تحلیل مدار باید به این نکته توجه کرد که سطح ولتاژ بالا را به عنوان منطق یک و سطح ولتاژ پایین را به عنوان منطق صفر در نظر گرفته شده است. به عبارت دیگر مدار در منطق مثبت مورد بررسی قرار می­گیرد.

ترانزیستورهای  P1, P2, P3, P4, P5 در صورتی که مقدار ورودی گیت آن­ها صفر منطقی(سطح ولتاژ پایین) باشد، وصل خواهند شد و ترانزیستورهای  N1, N2, N3, N4, N5 در صورتی که مقدار ورودی گیت آن­ها یک منطقی(سطح ولتاژ بالا) باشد، وصل خواهند شد. هنگامی که خروجی­های  SUM و Cout به VDD  مدار وصل شوند مقدار آن­ها یک می­شود و در غیر این صورت مقدار آن­ها صفر خواهد بود. در حالتی که ورودی­هایA, B, Cin  مدار صفر باشند، ترانزیستورهای P1, P2, P3 وصل می­شوند و ترانزیستورهای N1, N2 قطع می­شوند. در این حالت VDD  از طریق ترانزیستورهای  P1, P2 به ورودی ترانزیستورهای  P4, N3, N4 وصل می­شود. به دلیل قطع شدن ترانزیستور P4 خروجی SUM به VDD وصل نمی­شود و مقدار آن برابر صفر می­شود. مقدار Cout از خروجی ترانزیستورهای  P5, N5 بدست می­آید. با توجه به این که ورودی هر دو ترانزیستور VDD می­باشد، فقط ترانزیستور N5  وصل می­شود و در مقدار Cout تاثیر می­گذارد. اما به دلیل قطع بودن ترانزیستورهای N1, N2  امکان وصل شدن Cout  به VDD وجود ندارد و مقدار آن صفر می­شود. حالت­های دیگر ورودی مدار نیز به همین صورت مورد تحلیل قرار می­گیرد که وضعیت قطع و وصل بودن ترانزیستور در همه­ی حالت­های ورودی در جدول 3 مشخص شده است.

در طراحی این تمام جمع­کننده از10 ترانزیستور فین فت استفاده شده است که تعداد ترانزیستورهای نوع N وP برابر می­باشد و ساختار متقارنی دارد. این تمام جمع­کننده را در نرم افزار HSPICE و با فناوری 32 نانومتر، ولتاژ تغذیه 1 ولت، فرکانس 100 مگاهرتز و خازن­های بار 1/2 فمتو فاراد قرار گرفته در خروجی­های Sum و Carry شبیه­سازی شده است.

img0 

شکل 3: شماتیک تمام جمع­کننده پیشنهادی

 

در جدول 3 عملکرد تمامی حالات ورودی جمع­کننده مورد بررسی قرار گرفته است که نتایج آن نشان می­دهد عملکرد جمع­کننده پیشنهادی مطابق با سایر جمع­کننده­ها می­باشد(جدول2).

 

 

 

جدول3: صحت عملکرد تمام جمع­کننده پیشنهادی

 

Outputs

Status of the transistors

Inputs

SUM

Cout

Off transistors:T

On transistors:R

Cin

B

A

0

0

P4 T

P5 T

N1 T

N2 T

N3 T

P1 R

P2 R

P3 R

N3 R

N5 R

0

0

0

1

0

P3 T                             P4 T                              P5 T                            N1 T                             N2 T

P1 R

P2 R

N3 R 

N4 R 

N5 R 

1

0

0

1

0

P2 T                            N2 T                            N3 T                              N4 T                           N5 T

P1 R 

N1 R 

P3 R

P4 R

P5 R

0

1

0

0

1

P2 T                              P3 T                               N2 T                               N3 T                               N5 T

P1 R

N1 R 

P4 R

N4 R 

P5 R

1

1

0

1

0

P1 T                              N1 T                               N3 T                               N4 T                               N5 T

P2 R

N2 R 

P3 R

P4 R

P5 R

0

0

1

0

1

P1 T                              P3 T                               N1 T                               N3 T                               N5 T

P2 R

N2 R 

P4 R

N4 R 

P5 R

1

0

1

0

1

P1 T                              P2 T                               P4 T                               P5 T                               N4 T

N1 R

N2 R

P3 R

N3 R

N5 R

0

1

1

1

1

P1 T                              P2 T                               P3 T                               P4 T                               P5 T

N1 R

N2 R

N3 R

N4 R

N5 R

1

1

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

وضعیت روشن یا خاموش بودن ترانزیستورهای N1, P1, P2, P3  به مقادیر ورودی A, B, Cin وابسته می­باشد. به عنوان مثال ترانزیستور P1 به مقدار ورودی A وصل می­باشد و در صورتی که مقدار ورودی A برابر صفر منطقی باشد، ترانزیستور روشن می­شود. اما وضعیت روشن بودن ترانزیستورهای N2, N3, N4, N5, P4, P5  به وضعیت ترانزیستورهای N1, P1, P2, P3  وابسته می­باشد. به عنوان مثال گیت ترانزیستور P4 به خروجی نیم جمع­کننده اول که شامل ترانزیستورهای P1, P2, N1, N2 است، وصل می­باشد. این ترانزیستور در صورتی روشن می­شود که خروجی نیم جمع­کننده اول برابر با صفر باشد.

 

3-       نتایج شبیه­سازی تمام جمع­کننده پیشنهادی 

در شکل 4 نتیجه آنالیز گذرای تمام جمع­کننده طراحی شده با فناوری فین فت نشان داده شده است. در این شکل مقادیر ولتاژ ورودی V(A), V(B), V(Cin) و ولتاژ خروجی V(SUM), V(Cout) مشخص شده­اند. مقادیر ولتاژ ورودی به گونه­ای تعریف شده است که تمامی حالت­ها ورودی مدار ساخته شوند(مطابق جدول3). شایان ذکر است که در طراحی تمام جمع­کننده از ترانزیستورهای SG-FinFET استفاده شده است؛ یعنی گیت پشتی و گیت جلویی بهم متصل شده­اند. در شکل 4 به ترتیب ورودی­های A، B وCin و خروجی­های Sum و Carry ترسیم شده­اند.

img0 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

شکل 4: نتیجه آنالیز گذرای تمام جمع­کننده پیشنهادی

 

برای اندازه­گیری تاخیر انتشار مربوط به هر یک از خروجی­های SUM و Carry  تمامی حالت­های گذار از ورودی­های A،B وCin تا خروجی­های SUM و Carry از 50 درصد ورودی تا 50 درصد خروجی محاسبه شده و بیشترین مقدار به عنوان تاخیر انتشار هر خروجی در نظر گرفته شده است. حالت­های مختلف ورودی مدار بر توان مصرفی آن تاثیر می­گذارد. به دلیل این که در بازه زمانی صفر تا 45 نانو ثانیه تمامی حالت­های ورودی وجود دارند، توان مصرفی میانگین نیز در این بازه اندازه­گیری شده است و به عنوان توان مصرفی مدار تمام جمع­کننده معرفی شده است. حاصل ضرب تاخیر در توان به عنوان یک معیار ارزیابی عملکرد مدار تمام جمع­کننده در نظر گرفته شده است و حداکثر تاخیر انتشار بدست آمده در توان مصرفی میانگین ضرب شده و به عنوان PDP مدار تمام جمع­کننده طراحی شده معرفی می­شود.

 

transient analysis tnom= 25.000 temp= 25.000

td_a_s1= 1.3966E-11 targ= 5.0140E-09 trig= 5.0001E-09

td_a_s2= 2.8816E-11 targ= 1.0029E-08 trig= 1.0000E-08

td_a_s3= 1.2318E-11 targ= 2.0017E-08 trig= 2.0005E-08

td_a_s4= 2.5473E-11 targ= 2.5026E-08 trig= 2.5000E-08

td_a_s5= 1.7452E-11 targ= 3.0030E-08 trig= 3.0012E-08

td_a_s6= 1.7661E-11 targ= 4.0021E-08 trig= 4.0003E-08

td_b_s1= 1.3966E-11 targ= 5.0140E-09 trig= 5.0001E-09

td_b_s2= 2.5473E-11 targ= 2.5026E-08 trig= 2.5000E-08

td_c_s1= 1.3966E-11 targ= 5.0140E-09 trig= 5.0001E-09

td_c_s2= 2.5373E-11 targ= 2.5026E-08 trig= 2.5000E-08

delay_s_max1= 2.8816E-11

delay_s_max2= 2.8816E-11

delay_s_max3= 2.8816E-11

delay_s_max4= 2.8816E-11

delay_s_max5= 2.8816E-11

delay_s_max6= 2.8816E-11

delay_s_max7= 2.8816E-11

delay_s_max8= 2.8816E-11

delay_s_max= 2.8816E-11

 

با توجه به اندازه گیری­های انجام شده و نتایج فوق مشاهده می­شود که تاخیر انتشار ماکزیمم برای خروجی SUM برابر81/28 پیکو ثانیه است. همچنین با توجه به اندازه­گیری­های انجام شده و نتایج زیر مشاهده می­شود که تاخیر انتشار ماکزیمم برای خروجی Carry برابر 11/21 پیکو ثانیه است. بیشترین تاخیر به تاخیر انتشار خروجی SUM تعلق دارد که برابر 81/28 پیکو ثانیه است. توان مصرفی میانگین محاسبه شده در بازه صفر تا 45 نانو ثانیه برابر 304/0 میکرو وات است. PDP نیز با توجه به نتایج فوق 77/8 آتو ژول است.

 

 

 

transient analysis tnom= 25.000 temp= 25.000  

   td_a_cout1= 1.2776E-11 targ= 5.0128E-09 trig= 5.0001E-09

   td_a_cout2= 1.9195E-11 targ= 2.0024E-08 trig= 2.0005E-08

   td_a_cout3= 2.1112E-11 targ= 2.5021E-08 trig= 2.5000E-08

   td_a_cout4= 1.0395E-11 targ= 3.0023E-08 trig= 3.0012E-08

   td_b_cout1= 1.2776E-11 targ= 5.0128E-09 trig= 5.0001E-09

   td_b_cout2= 2.1112E-11 targ= 2.5021E-08 trig= 2.5000E-08

   td_cin_cout1= 1.2776E-11 targ= 5.0128E-09 trig= 5.0001E-09

   td_cin_cout2= 2.1012E-11 targ= 2.5021E-08 trig= 2.5000E-08

   delay_cout_max1= 1.9195E-11

   delay_cout_max2= 2.1112E-11

   delay_cout_max3= 2.1112E-11

   delay_cout_max4= 2.1112E-11

   delay_cout_max5= 2.1112E-11

   delay_cout_max6= 2.1112E-11

   delay_cout_max= 2.1112E-11

   delay_max= 2.8816E-11

   avg_power= 3.0464E-07 from= 0.0000E+00 to= 4.5000E-08

   pdp= 8.7784E-18

 

شرایط شبیه­سازی برای تمامی مدارها یکسان و مطابق جدول شماره 4 می­باشد. همچنین لازم به ذکر است که مدارها در دمای 25 درجه سانتی­گراد شبیه­سازی شده­اند.

 

جدول4: شرایط شبیه­سازی مدارها

Software

Load Capacitors

Frequency

Supply Voltage

Transistor Technology

Hspice

2.1fF

100MHZ

1V

32nm

 

در جدول 5 تمامی نتایج شبیه­سازی مدار پیشنهادی با سایر جمع­کننده­ها ارائه شده است. مدار جمع­کننده پیشنهادی با کمترین تعداد ترانزیستور طراحی شده است و همچنین کمترین مقدار توان مصرفی و کمترین مقدارPDP در بین سایر تمام جمع­کننده­های مطالعه شده را دارد.

 

 

 

             جدول 5- مقایسه تمام جمع­کننده پیشنهادی با سایر تمام جمع­کننده­های مطالعه شده

Number of Transistors

PDP

Average Power

Carry

SUM

Parameters

References

20

9.87aJ

0.477µW

15.28pS

20.67pS

[7]

11

1782aJ

64.01µW

24.62pS

27.83pS

[12]

26

17.81aJ

0.609µW

29.20pS

22.08pS

[13]

16

31.24aJ

0.675µW

46.25pS

33.52pS

[17]

10

8.77aJ

0.304µW

21.11pS

28.81pS

Proposed Circuit

 

تمام جمع­کننده­های فین فت به خوبی می­توانند در مقیاس نانومتری با توان مصرفی بسیار پایین عمل کنند. از طرف دیگر به دلیل این که فین فت­ها سرعت سوئیچینگ بالایی دارند، به پردازش سریع­تر سیگنال کمک می­کنند. از این ساختار می­توان در پردازش سیگنال­ها و سیستم­های دیجیتال مانند فیلتر­های FIR19 استفاده کرد. در شکل 5 نمودار مربوط به توان مصرفی نشان داده شده است. مدار پیشنهاد شده کمترین مقدار توان مصرفی در مقایسه با سایر مدارها را دارد.

 

 

شکل5: نمودار مقایسه توان مصرفی

 

پارامترهایDelay وPower Consumption  در مدار بسیار حائز اهمیت می­باشند، اما این دو پارامتر در مدار رابطه عکس دارند. به عنوان مثال اگر مقدار VDD مدار افزایش پیدا کنند، Delay مدار کم می شود اما توان مصرفی آن افزایش پیدا می­کند. براین اساس پارامتر PDP تعریف شده است که حاصل ضرب این دو پارامتر در یکدیگر می­باشد و هر چه این مقدار کمتر باشد کارایی و عملکرد مدار بهتر می­باشد. در شکل 6 نمودار مربوط به مقایسه PDP مدارها نشان داده شده است و مدار پیشنهاد شده کمترین مقدار PDP را دارد.

 

شکل6: نمودار مقایسه PDP

در شکل 7 نمودارتعداد ترانزیستورهای استفاده شده برای جمع­کننده­ها نشان داده شده است. تمام جمع پیشنهادی با 10 ترانزیستور در مقایسه با سایر مدارها با تعداد ترانزیستور کمتری طراحی شده است.

 

شکل7: نمودار مقایسه تعداد ترانزیستورها

 

4-       نتیجه­گیری

هنگام ساخت و طراحی تمام جمع­کننده، معیارهای مهمی از جمله توان مصرفی، PDP و تعداد ترانزیستورها در نظر گرفته می­شود و بر این اساس می توان تمام جمع­کننده را با روش­ها و فناوری­های مختلف در سطوح مختلف معماری طراحی کرد. با افزایش نیاز به مدارهای مجتمع با توان کم برای ابزارهای اندازه‌گیری دیجیتال، رایانه‌ها، تلفن‌های همراه و سایر برنامه‌ها، ویژگی‌های کم مصرف بودن اهمیت زیادی پیدا می‌کنند. طراحی جمع­کننده با استفاده از دونیم جمع­کننده یکی دیگر از سبک­های طراحی می­باشد که در مدارهای با سرعت بالا، باعث افزایش سرعت پردازش ورودی­ها می­شود. وقتی از دونیم جمع­کننده یکسان برای طراحی تمام جمع­کننده استفاده می­شود، مساحت چاپی مدار نیز کاهش می­یابد و فضای کمتری را اشغال می­کند. مجموع مطالعات انجام شده در این تحقیق در زمینه طراحی یک تمام جمع­کننده جدید می­باشد که با 10 عدد ترانزیستور و دو نیم جمع­کننده یکسان طراحی شده است و پارامترهای مهمی از قبیل توان مصرفی، PDP در آن بهبود یافته است. با توجه به این مدار توان مصرفی پایینی دارد، در مدارهای کم مصرف می­توان از آن استفاده نمود.

 

   منابع

 

[1]        نیری and نیری, "طراحی و شبیه سازی مدار جمع کننده پنج ارزشی جدید مبتنی بر ترانزیستور نانو نوار گرافن," مدل سازی در مهندسی, vol. 18, no. 63, pp. 41-50, 2021.

[2]        T.-J. King, "FinFETs for nanoscale CMOS digital integrated circuits," in ICCAD-2005. IEEE/ACM International Conference on Computer-Aided Design, 2005., 2005: IEEE, pp. 207-210.

[3]        A. Lourts Deepak and L. Dhulipalla, "Performance comparison of CMOS and FINFET based SRAM for 22nm Technology," International Journal of Conceptions on Electronics and Communication Engineering, vol. 1, no. 1, 2013.

[4]        A. Venkatesan, P. Vanathi, and M. Elangovan, "Diode Connected Transistor-Based Low PDP Adiabatic Full Adder in 7 nm FINFET Technology for MIMO Applications," Journal of Circuits, Systems and Computers, vol. 32, no. 08, p. 2350134, 2023.

[5]        A. Navaneetha and K. Bikshalu, "FinFET based Comparison analysis of power and delay of adder topologies," Materials Today: Proceedings, vol. 46, pp. 3723-3729, 2021.

[6]        R. K. Maurya and B. Bhowmick, "Review of FinFET devices and perspective on circuit design challenges," Silicon, vol. 14, no. 11, pp. 5783-5791, 2022.

[7]        N. Duraivel and B. Paulchamy, "Simulation and performance analysis of 15 Nm FinFET based carry skip adder," Computational Intelligence, vol. 37, no. 2, pp. 799-818, 2021.

[8]        J. Battini and S. Kosaraju, "Design of efficient 22 nm, 20-FinFET full adder for low-power and high-speed arithmetic units," Silicon, vol. 15, no. 2, pp. 993-1002, 2023.

[9]        R. Hajare and C. Lakshminarayana, "Design and software characterization of finfet based full adders," International Journal of Reconfigurable and Embedded Systems, vol. 8, no. 1, p. 51, 2019.

[10]        S. Branch and I. Sardroud, "FinFET-based Full Adder using SDTSPC Logic with High Performance."

[11]        M. V. Prasad and K. N. Kumar, "Low power FinFET based full adder design," International Journal of Advanced Research in Computer and Communication Engineering, vol. 6, no. 8, pp. 328-335, 2017.

[12]        C. S. Pittala, V. Vijay, and B. N. K. Reddy, "1-Bit FinFET carry cells for low voltage high-speed digital signal processing applications," Silicon, vol. 15, no. 2, pp. 713-724, 2023.

[13]        S. Singh and Y. B. Shukla, "Design and Analysis of Low Power FinFET-Based Hybrid Full Adders at 16 nm Technology Node," in Intelligent Sustainable Systems: Proceedings of ICISS 2022: Springer, 2022, pp. 631-641.

[14]        C. Pittala and V. Vijay, "Design of 1-Bit FinFET sum circuit for computational applications," in International Conference on Emerging Applications of Information Technology, 2021: Springer, pp. 590-596.

[15]        S. B. Mamaghani, M. H. Moaiyeri, and G. Jaberipur, "Design of an efficient fully nonvolatile and radiation-hardened majority-based magnetic full adder using FinFET/MTJ," Microelectronics Journal, vol. 103, p. 104864, 2020.

[16]        U. Mushtaq, M. W. Akram, and D. Prasad, "Energy efficient and variability immune adder circuits using short gate FinFET INDEP technique at 10nm technology node," Australian Journal of Electrical and Electronics Engineering, vol. 20, no. 1, pp. 1-12, 2023.

[17]        F. G. da Silva, R. N. Oliveira, A. L. Zimpeck, C. Meinhardt, and R. Reis, "Exploring XOR-based Full Adders and decoupling cells to variability mitigation at FinFET technology," Integration, vol. 87, pp. 137-146, 2022.

[18]        S. Nagaraj, P. A. Prem, D. Srihari, and K. Gopi, "Design and Analysis of Half Adder and Full Adder Using GDI Logic," Journal of Pharmaceutical Negative Results, pp. 802-814, 2022.

[19]        K. Apoorva, "Design and Analysis of Synthesizable RTL Verilog For Discrete Fourier Transformation Using FFT," Turkish Journal of Computer and Mathematics Education (TURCOMAT), vol. 12, no. 12, pp. 2372-2379, 2021.

[20]        M. Alioto and G. Palumbo, "Analysis and comparison on full adder block in submicron technology," IEEE transactions on very large scale integration (VLSI) systems, vol. 10, no. 6, pp. 806-823, 2002.

[21]        E. Napoli, E. Zacharelos, A. G. Strollo, and G. Di Meo, "Approximate Full-Adders: A Comprehensive Analysis," IEEE Access, 2024.

 

[1]  Complementary Metal-Oxide Semiconductor

[2]  Static Random-Access Memory

[3]  Silicon On Insulator

[4]  Shorted-Gate FinFET

[5]  Independent Gate FinFET

[6]  Low Power FinFET

[7]  Gate Diffusion Input

[8]  Stacked Diode transistor based TSPC (True Single-Phase Clock)

[9]  Input Dependent

[10]  Stacked Diode transistor based TSPC (True Single-Phase Clock)

 

[11]  Gate Diffusion Input

[12]  Digital Signal Processor

[13]  Power Delay Product

[14]  Hybrid Full Adder

[15]  Drain Induced Barrier Lowering

[16]  Very Large Scale Integration

[17]  Integrated Circuit

[18]  Digital Signal Processor

[19]  Finite Impulse Response


مقالات مرتبط

حقوق این وب‌سایت متعلق به سامانه مدیریت نشریات دانشگاه آزاد اسلامی است.
حق نشر © 1404-1400

صفحه اصلی| عضویت/ ورود| درباره سند| تماس با ما|
[English] [العربية] [en] [ar]