مطالعه‌ی محاسباتی جذب مولکول‌های HCN، CO و ClCN در نانو لوله‌‌ی SiC دارای ناخالصی B به روش DFT

محورهای موضوعی : کاربرد شیمی در محیط زیست

تاریخ دریافت : 1395/10/19 تاریخ پذیرش : 1395/11/28 تاریخ انتشار : 1396/04/01

کلید واژه: جذب سطحی, نانولوله SiC, روش تابعی چگالی,

چکیده مقاله :

در این تحقیق با بهره‌گیری از نظریه تابع چگالی (DFT)، روش B3LYP و سری پایه G* 6-31 اثر جذب مولکول‌های CO, ClCN, HCN را روی نانولوله‌های تک دیواره آرمچیر (4 و 4) SiC دوپه شده با اتم B مورد بررسی قرار گرفته است. با توجه به روند تغییرات در فاصله بین اوربیتال های HOMO و LUMO مدل‌های مورد مطالعه می‌توان نتیجه گرفت که بیش ترین رسانایی الکتریکی در مدل B dope C ClCN-Attached و کم ترین رسانایی در مدل خالص دیده می‌شود. نتایج جدول جذب سطحی نشان می‌دهد که بیش ترین میزان جذب سطحی در مدل B dope Si ClCN-Attached و کم ترین میزان جذب سطحی در مدل B dope Si HCN-Attached دیده می‌شود. با توجه به نتایج این پژوهش می‌توان نتیجه گرفت که مطلوب‌ترین گزینه مورد مطالعه مولکول ClCN می‌باشد.

چکیده انگلیسی:

In this study we using density functional theory (DFT), B3LYP method and 6-31G * basis set for absorption of CO, HCN and ClCN molecules on B-doping in SiC nanotubes. According to the results of band gap that the highest electrical conductivity in the B dope C ClCN-Attached and the lowest conductivity in Pristine can be seen. Adsorption results show that the highest adsorption in B dope Si ClCN-Attached and least adsorption in B dope Si HCN-Attached seen. According to the results of adsorption B dope C ClCN-Attached is most appropriate.